西安交通大学-竞价公告(CB106982018000184)
基本信息: | |
申购单主题: | (略) |
申购单类型: | (略) |
设备类别: | (略) |
使用币种: | (略) |
竞价开始时间: | (略) |
竞价(略): | (略) |
申购备注: | |
申购设备详情: |
单晶片 | 40 | 个 | 黄河旋风 | HSCD11/3.0+0.5+ | 是 | 按行业标准提供服务 | 生长面(100),边缘晶向(100) 表面粗糙度在》=2~5nm XRD偏转角在2.5~3度 厚度误差范围在0.05nm 氮气浓度小于10ppb 四个(略),生长面检查无缺陷和研磨痕迹 各面不能有斜面、坡度,厚度偏差在0.05nm 晶体颜色要求均匀,无杂质无明显缺陷 | 无 |
单晶片 | 40 | 个 | 黄河旋风 | HS(略).0+1.0+ | 是 | 按行业标准提供服务 | 生长面(100),边缘晶向(100) 表面粗糙度在》=2~5nm XRD偏转角在2.5~3度 厚度误差范围在0.05nm 氮气浓度小(略) 四个角无缺角,生长面检查无缺陷和研磨痕迹 各面不能有斜面、坡度,厚度偏差在0.05nm 晶体颜色要求均匀,无杂质无明显缺陷 | 无 |
单晶片 | 10 | 个 | 黄河旋风 | HSCD11/5.0+1+ | 是 | 按行业标准提供服务 | 生长面(100),边缘晶向(100) 表面粗糙度在》=2~5nm XRD偏转角在2.5~3度 厚度误差范围在0.05nm 氮气浓度小于10ppb 四个角无缺角,生长面检查(略) 各面不能有斜面、坡度,厚度偏差在0.05nm 晶体颜色要求均匀,无杂质无明显缺陷 | 无 |
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