广东中科半导体微纳制造技术研究院2023年12月至2024年01月政府采购意向
为便于供应商及时了解政府采购信息,根据《(略)(财库〔2(略))等有关规定,现将本单位2023年12月至2024年01月采购意向公开如下:
1 | (略) | 标的名称:(略) 标的数量:1 主要功能或目标:芯片(略),高精细的版图需要进行多次曝光才能制作完成,每曝光一层图形都需要用不同的掩模版并需要和之前已经曝光的图形进行精确对准后才能曝光,用以确保每一层图形都在正确的相对位置。套刻(Ov(略))技术即(略),使各层图形的相对位置达到精确对准的技术。本设备用以标(略)。 需满足的要求:1.设备构成:至少包含5x、20x、100x、150x物镜镜头各一个;配备光学字符识别(OCR)、微米级显微镜、快速表面对焦(auto focus)、增强光圈等。 2.设备性能需求:晶圆尺寸8inch向下兼容(无需更换套件),支持平/凹形状晶圆;支持透明衬底晶圆;适用SiC/GaAs/GaN/InP/Si/石英/玻璃衬底晶圆;支持功能:游标测量、角度测量、圆孔孔径测量、场移监测、图形识别对位;支持 | 落实国家关项目于节能产品、环(略) | (略) | (略) | |
2 | (略) | 标的名称:(略) 标的数量:1 主要功能或目标:反射膜厚测量(SR)与椭偏膜厚测量(SE)都属于膜厚测量技术中的一种,其测量原理为分别利用线偏振光正照、椭偏振光斜照样品膜层,并收集分析薄膜表面反射光和薄膜-基底界面反射光相干涉形成的反射光谱,通过数(略)。 需满足的要求:1.设备构成:配备预对准系统;配备反射型膜厚量测系统(SR),至少配备4x、15x镜头、TX光学器件;配备椭偏型膜厚量测系统(SE)等。 2.设备性能需求:兼容6/8寸晶圆,可自动传片(略)(SR):光谱波长范围可覆盖210-780nm,膜厚测量范围可覆盖5nm-35um,反射率测量248nm/365nm≤ 0.20%(略)(SE):光谱波(略) | 落实国家关项目于节能产品、环保标志产(略) | (略) | (略) |
本次公开的采购意向是本单位政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
**中科半导体微纳制造技术研究院
2023年12月28日
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