SiC功率器件延期公告
延期信息
| 延期理由： | 因报价情况不满足要求，采购方决定延期 |
| 项目名称 | SiC功率器件 | 项目编号 | **** |
| 项目编号 | **** | ||
| 公告发布日期 | 2024/06/04 10:14 | 公告截止日期 | 2024/06/07 10:14 |
| 公告截止日期 | 2024/06/07 10:14 | ||
| 采购单位 | **** | ||
| 联系人 | 中标后在我参与的项目中查看 | 联系手机 | 中标后在我参与的项目中查看 |
| 联系手机 | 中标后在我参与的项目中查看 | ||
| 采购预算 | 未公开 | 币种 | RMB |
| 币种 | RMB | ||
| 是否本地化服务 | 否 | 是否需要踏勘 | 否 |
| 是否需要踏勘 | 否 | ||
| 踏勘联系人 | 踏勘联系电话 | ||
| 踏勘联系电话 | |||
| 踏勘地点 | 踏勘联系时间 | ||
| 踏勘联系时间 | |||
| 送货/施工/服务期限 | 合同签订后 30 天内到货 | ||
| 送货/施工/服务地址 | ****电能高效****实验室214 | ||
| 售后服务 | 按行业标准执行 | ||
| 付款条款 | 国产设备：1.供应商在申请验收前，须先把合同总金额的（/）%作为质保金交到采购人指定账户，并开具合同金额100%发票；2.货到合同指定地点并安装调试验收合格后，凭验收报告在10个工作日内支付合同总金额的（100）%；3.在验收合格之日起的（/）年后无质量问题，经采购人认可，一次性将合同质保金无息退还供应商。 | ||
采购清单
1
| 采购内容 | 数量单位 | |||
| 650V Sic_MOSFET | 100(个) | |||
| 参考品牌及型号 | CREE/C3M****065K | |||
| 技术参数要求 | 技术参数： 沟道类型 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压 650V Id-漏极电流(25℃) 120A Pd-功耗 416W 产品要求： （1）器件必须是未拆封、原装正品； （2）生产批次不早于2023年； | |||
采购清单
2
| 采购内容 | 数量单位 | |||
| 1700V Sic_MOSFET | 50(个) | |||
| 参考品牌及型号 | CREE/C2M****170P | |||
| 技术参数要求 | 技术参数： 沟道类型 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压 1700V Id-漏极电流(25℃) 72A Pd-功耗 520W 产品要求： （1）器件必须是未拆封、原装正品； （2）生产批次不早于2023年； | |||
采购清单
3
| 采购内容 | 数量单位 | |||
| 1200V Sic_MOSFET | 200(个) | |||
| 参考品牌及型号 | CREE/C3M****120K | |||
| 技术参数要求 | 技术参数： 沟道类型 1个N沟道 Vds-漏源击穿电压 1200V Id-漏极电流(25℃) 63A Pd-功耗 283W 产品要求： （1）器件必须是未拆封、原装正品； （2）生产批次不早于2023年； | |||
采购清单
4
| 采购内容 | 数量单位 | |||
| 功率器件-SiC模块 | 100(个) | |||
| 参考品牌及型号 | CREE/CAB011M12FM3 | |||
| 技术参数要求 | 技术参数： 漏极至源极电压 (Vdss) 1200V (1.2kV) 操作温度 -40°C ~ 150°C (TJ) FET特性 - 封装/外壳 Module 配置 2 N-Channel (Half Bridge) 在Vds时的输入电容（Ciss）（最大） 10300pF @ 800V 出口管制分类号 (ECCN) EAR99 安装类型 Chassis Mount 最大漏源极电阻 @ Id, Vgs 14mOhm @ 100A, 15V 供应商器件封装 - 栅极阈值电压（最大）@ Id 3.6V @ 35mA 产品要求： （1）器件必须是未拆封、原装正品； （2）生产批次不早于2023年； | |||
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