| 公告信息： | |||
| 采购项目名称 | ****大学无掩膜深硅刻蚀检测一体化系统采购 | ||
| 品目 | 货物/设备/仪器仪表/其他仪器仪表 | ||
| 采购单位 | ****大学 | ||
| 行政区域 | **市 | 公告时间 | 2024年12月11日 17:05 |
| 首次公告日期 | 2024年12月06日 | 更正日期 | 2024年12月11日 |
| 更正事项 | 采购文件 | ||
| 联系人及联系方式： | |||
| 项目联系人 | 张女士 | ||
| 项目联系电话 | 186****5266 | ||
| 采购单位 | ****大学 | ||
| 采购单位地址 | **市**区中关村南大街5号 | ||
| 采购单位联系方式 | 林老师 010-****7981 | ||
| 代理机构名称 | ****集团****公司 | ||
| 代理机构地址 | **市**区丰葆路158号院国信招标 | ||
| 代理机构联系方式 | 张女士186****5266 | ||
一、项目基本情况
原公告的采购项目编号：****
原公告的采购项目名称：****大学无掩膜深硅刻蚀检测一体化系统采购
首次公告日期：2024年12月06日
二、更正信息
更正事项：采购文件
更正内容：
1、原招标文件“第一章 投标邀请”附件中“主要技术要求”：
附件：
（一）无掩膜高深比切割与检测设备
1. #最大峰值刻蚀功率≥2000w。
2. 平均刻蚀功率≥100w。
3. #平台测试定位精度：不高于± 0.2μm。
4. 需要包含惰性气体保护系统。
5. 刻蚀速度范围包括50~1000μm/min。
6. 光学放大倍率范围包括4~10倍。
7. 精密测量模块定位精度：不高于± 0.2μm。
8. 直线度：不高于± 0.4μm。
9. #测量行程≥200 mm。
10. 输出频率包括0~40Mhz。
11. #输出通道≥2。
12. 上升/下降时间≤9 ns。
13. 测试波长范围包括400~1100nm。
14. 相位分辨率≤2 nm。
15. 具有高速Hyperwire光纤通讯接口。
16. 支持.Net及C++等编程语言二次开发。
17. ★最大刻蚀深度≥20 mm。
（二）离子增强刻蚀设备
1.晶圆大小：四英寸。
2.工艺腔内径≤300mm，内壁需要经耐腐氧化处理。
3.工艺腔内壁需要带有内衬，内衬表面需要经耐腐氧化处理。
4.工艺腔内壁加热范围应包括20~120℃。
5.上功率源功率范围应包含10~2000W，支持预置匹配点，支持脉冲功能。
6.上功率源需要支持固定匹配点运行，允许反射功率在40%设定功率值的情况下连续运行。
7.#上功率两路输出，调节等离子体分布。
8.#采用立体等离子体源，石英耦合窗，使用立体螺旋功率耦合天线，支持远等离子体技术。
9.#载片台直径不小于160mm。
10.下功率源功率范围应包含0~600W，支持预置匹配点，支持脉冲功能。
11.#下功率源支持固定匹配点运行，允许反射功率在40%设定功率值的情况下连续运行。
12.可控制基片表面温度，控温范围为-20℃~10℃。
13.真空系统分子泵抽速≥1000L/s。
14.#工艺腔本底极限真空度达到5E-4Pa以上。
15.气体配置包含如下气体管路：Ar、O2、CHF3、CF4、SF6、C4F8。
16.#采用质量流量计（MFC）控制气体流量，MFC支持更改气体种类与气体量程。
17.★最大刻蚀深度大于300um。
现更正为：
附件：
（一）无掩膜高深比切割与检测设备
1. #最大峰值刻蚀功率≥2000w，平均刻蚀功率≥100w。
2. 精密测量模块定位精度不高于± 0.2μm，直线度不高于± 0.4μm。
3. #平台测试定位精度：不高于± 0.2μm。
4. 需要包含惰性气体保护系统。
5. 刻蚀速度范围包括50~1000μm/min。
6. 光学放大倍率范围包括4~10倍。
7. #测量行程≥200 mm。
8. #输出通道≥2，输出频率包括0~40Mhz。
9. 上升/下降时间≤9 ns。
10. 测试波长范围包括400~1100nm，相位分辨率≤2 nm。
11. 具有高速Hyperwire光纤通讯接口。
12. 支持.Net及C++等编程语言二次开发。
13. ★最大刻蚀深度≥20 mm。
14. 相位与强度采样≥182×136。
15. 相位测试空间分辨率≤27.6μm。
16. 样品托盘最大直径≥6英寸，向下兼容更小的晶圆片或不规则碎片。
17. 不同尺寸样品之间需要可以自动切换，控制系统需要可以全部组件进行实时监控。
（二）离子增强刻蚀设备
隔离槽刻蚀机台模块：
1.晶圆大小：四英寸。
2.工艺腔内径≤300mm，内壁需要经耐腐氧化处理。
3.工艺腔内壁需要带有内衬，内衬表面需要经耐腐氧化处理。
4.工艺腔内壁加热范围应包括20~120℃。
5.上功率源功率范围应包含10~2000W，支持预置匹配点，支持脉冲功能。
6.上功率源需要支持固定匹配点运行，允许反射功率在40%设定功率值的情况下连续运行。
7.#上功率两路输出，调节等离子体分布。
8.#采用立体等离子体源，石英耦合窗，使用立体螺旋功率耦合天线，支持远等离子体技术。
9.#载片台直径不小于160mm。
10.下功率源功率范围应包含0~600W，支持预置匹配点，支持脉冲功能。
11.#下功率源支持固定匹配点运行，允许反射功率在40%设定功率值的情况下连续运行。
12.可控制基片表面温度，控温范围为-20℃~10℃。
13.真空系统分子泵抽速≥1000L/s。
14.#工艺腔本底极限真空度达到5E-4Pa以上。
15. #气体配置包含如下气体管路：Ar、O2、CHF3、CF4、SF6、C4F8。
16.#采用质量流量计（MFC）控制气体流量，MFC支持更改气体种类与气体量程。
17.★最大刻蚀深度大于300um。
不大于1000mm。
离子增强刻蚀监测模块：
26. #独立DAC电压输出通道≥12个。
27.输出电压精度≥24位。
28.动态存储≥120dB。
29.积分时间常数范围包括:1us-500s。
30. #极限压强≤8×10-5Pa，
31.水氧指标：＜1ppm
32.循环能力：集成风机流量≥80m3/h
33.露点分析仪测量范围包括0～500ppm
2、原招标文件“第三章 资格审查、评标办法和标准”中：
附表四 技术评审因素及分值分配表
| 评分项目 | 分值 | 评分说明 | 评定 分值 | |
| 技术 （57分） | 技术参数和性能指标 | 40分 | 以“第五章采购需求中二、主要技术指标”中的具体指标作为评审依据，对技术参数和性能进行打分。其中包含2个★号指标，10个#号指标，40个无标识指标。 1）★号指标为实质性指标，每有一项★号指标不满足则否决其投标； 2）#号指标为重要指标，每有一项#号指标满足要求的得2分，不满足或负偏离不得分，未按照要求提供相关有效证明文件（对应的配件进货单并加盖投标方公章）附件的也不得分； 3）无标识的为一般指标，每有一项一般指标满足要求的得0.5分，不满足或负偏离不得分； 4）总分40分，全部满足得40分，最低0分。 | 0-40分 |
现更正为：
附表四 技术评审因素及分值分配表
| 评分项目 | 分值 | 评分说明 | 评定 分值 | |
| 技术 （57分） | 技术参数和性能指标 | 40分 | 以“第五章采购需求中二、主要技术指标”中的具体指标作为评审依据，对技术参数和性能进行打分。其中包含2个★号指标，14个#号指标，38个无标识指标。 1）★号指标为实质性指标，每有一项★号指标不满足则否决其投标； 2）#号指标为重要指标，每有一项#号指标满足要求的得1.5分，不满足或负偏离不得分，未按照要求提供相关有效证明文件（对应的配件进货单并加盖投标方公章）附件的也不得分； 3）无标识的为一般指标，每有一项一般指标满足要求的得0.5分，不满足或负偏离不得分； 4）总分40分，全部满足得40分，最低0分。 | 0-40分 |
3、原招标文件“第五章 采购需求二、主要技术指标”.
（一）无掩膜高深比切割与检测设备
1. #最大峰值刻蚀功率≥2000w。
2. 平均刻蚀功率≥100w。
3. #平台测试定位精度：不高于± 0.2μm。
4. 需要包含惰性气体保护系统。
5. 刻蚀速度范围包括50~1000μm/min。
6. 光学放大倍率范围包括4~10倍。
7. 精密测量模块定位精度：不高于± 0.2μm。
8. 直线度：不高于± 0.4μm。
9. #测量行程≥200 mm。
10. 输出频率包括0~40Mhz。
11. #输出通道≥2。
12. 上升/下降时间≤9 ns。
13. 测试波长范围包括400~1100nm。
14. 相位分辨率≤2 nm。
15. 具有高速Hyperwire光纤通讯接口。
16. 支持.Net及C++等编程语言二次开发。
17. ★最大刻蚀深度≥20 mm。
18. 相位与强度采样≥182×136。
19. 相位测试空间分辨率≤27.6μm。
20. 样品托盘最大直径≥6英寸，向下兼容更小的晶圆片或不规则碎片。
21. 不同尺寸样品之间需要可以自动切换，控制系统需要可以全部组件进行实时监控。
22. 需要可以通过工艺软件对气体压力、刻蚀功率等工艺参数进行实时调控，也可以自动控制。
23. 设备需要配置紧急停止开关，具备完善安全互锁功能。
（二）离子增强刻蚀设备
18.晶圆大小：四英寸。
19.工艺腔内径≤300mm，内壁需要经耐腐氧化处理。
20.工艺腔内壁需要带有内衬，内衬表面需要经耐腐氧化处理。
21.工艺腔内壁加热范围应包括20~120℃。
22.上功率源功率范围应包含10~2000W，支持预置匹配点，支持脉冲功能。
23.上功率源需要支持固定匹配点运行，允许反射功率在40%设定功率值的情况下连续运行。
24.#上功率两路输出，调节等离子体分布。
25.#采用立体等离子体源，石英耦合窗，使用立体螺旋功率耦合天线，支持远等离子体技术。
26.#载片台直径不小于160mm。
27.下功率源功率范围应包含0~600W，支持预置匹配点，支持脉冲功能。
28.#下功率源支持固定匹配点运行，允许反射功率在40%设定功率值的情况下连续运行。
29.可控制基片表面温度，控温范围为-20℃~10℃。
30.真空系统分子泵抽速≥1000L/s。
31.#工艺腔本底极限真空度达到5E-4Pa以上。
32.气体配置包含如下气体管路：Ar、O2、CHF3、CF4、SF6、C4F8。
33.#采用质量流量计（MFC）控制气体流量，MFC支持更改气体种类与气体量程。
34.集成式气路柜，质量流量计MFC到反应腔气体接入口之间的气体管道长度小于15cm，实现工艺气体的快速切换。
35.O2、SF6、C4F8三种气体需要支持连续刻蚀工艺，也需要支持BOSCH工艺。
36.采用矩形插板阀隔断工艺腔与传输腔。
37.采用工控机作为控制系统主机。
38.控制软件具有如下功能：用户等级与操作权限管理；自动运行与工程维护界面模块；实时显示机台状态；日志管理功能；动作互锁功能；工艺菜单编辑功能；机台异常处理功能。
39.带有安全互锁与急停机制（EMO）。
40.★最大刻蚀深度大于300um。
41.深宽比大于6。
42.整机尺寸不大于1700mm（长）×1000mm（宽）×1550mm（高），操作面尺寸不大于1000mm。
43.独立DAC电压输出通道≥12个。
44.输出电压精度≥24位。
45.动态存储≥120dB。
46.积分时间常数范围包括:1us-500s。
现更正为：
（一）无掩膜高深比切割与检测设备
1. #最大峰值刻蚀功率≥2000w，平均刻蚀功率≥100w。
2. 精密测量模块定位精度不高于± 0.2μm，直线度不高于± 0.4μm。
3. #平台测试定位精度：不高于± 0.2μm。
4. 需要包含惰性气体保护系统。
5. 刻蚀速度范围包括50~1000μm/min。
6. 光学放大倍率范围包括4~10倍。
7. #测量行程≥200 mm。
8. #输出通道≥2，输出频率包括0~40Mhz。
9. 上升/下降时间≤9 ns。
10. 测试波长范围包括400~1100nm，相位分辨率≤2 nm。
11. 具有高速Hyperwire光纤通讯接口。
12. 支持.Net及C++等编程语言二次开发。
13. ★最大刻蚀深度≥20 mm。
14. 相位与强度采样≥182×136。
15. 相位测试空间分辨率≤27.6μm。
16. 样品托盘最大直径≥6英寸，向下兼容更小的晶圆片或不规则碎片。
17. 不同尺寸样品之间需要可以自动切换，控制系统需要可以全部组件进行实时监控。
18. 需要可以通过工艺软件对气体压力、刻蚀功率等工艺参数进行实时调控，也可以自动控制。
19. 设备需要配置紧急停止开关，具备完善安全互锁功能。
20. 设备附带高精度MFC 流量控制，并针对不同气体做量程和精度校准。
21. 设备可以实现不同气体的快速切换。
（二）离子增强刻蚀设备
隔离槽刻蚀机台模块：
1.晶圆大小：四英寸。
2.工艺腔内径≤300mm，内壁需要经耐腐氧化处理。
3.工艺腔内壁需要带有内衬，内衬表面需要经耐腐氧化处理。
4.工艺腔内壁加热范围应包括20~120℃。
5.上功率源功率范围应包含10~2000W，支持预置匹配点，支持脉冲功能。
6.上功率源需要支持固定匹配点运行，允许反射功率在40%设定功率值的情况下连续运行。
7.#上功率两路输出，调节等离子体分布。
8.#采用立体等离子体源，石英耦合窗，使用立体螺旋功率耦合天线，支持远等离子体技术。
9.#载片台直径不小于160mm。
10.下功率源功率范围应包含0~600W，支持预置匹配点，支持脉冲功能。
11.#下功率源支持固定匹配点运行，允许反射功率在40%设定功率值的情况下连续运行。
12.可控制基片表面温度，控温范围为-20℃~10℃。
13.真空系统分子泵抽速≥1000L/s。
14.#工艺腔本底极限真空度达到5E-4Pa以上。
15. #气体配置包含如下气体管路：Ar、O2、CHF3、CF4、SF6、C4F8。
16.#采用质量流量计（MFC）控制气体流量，MFC支持更改气体种类与气体量程。
17.集成式气路柜，质量流量计MFC到反应腔气体接入口之间的气体管道长度小于15cm，实现工艺气体的快速切换。
18. #O2、SF6、C4F8三种气体需要支持连续刻蚀工艺，也需要支持BOSCH工艺。
19.采用矩形插板阀隔断工艺腔与传输腔。
20.采用工控机作为控制系统主机。
21.控制软件具有如下功能：用户等级与操作权限管理；自动运行与工程维护界面模块；实时显示机台状态；日志管理功能；动作互锁功能；工艺菜单编辑功能；机台异常处理功能。
22.带有安全互锁与急停机制（EMO）。
23.★最大刻蚀深度大于300um。
24.深宽比大于6。
25.整机尺寸不大于1700mm（长）×1000mm（宽）×1550mm（高），操作面尺寸不大于1000mm。
离子增强刻蚀监测模块：
26. #独立DAC电压输出通道≥12个。
27.输出电压精度≥24位。
28.动态存储≥120dB。
29.积分时间常数范围包括:1us-500s。
30. #极限压强≤8×10-5Pa，
31.水氧指标：＜1ppm
32.循环能力：集成风机流量≥80m3/h
33.露点分析仪测量范围包括0～500ppm
招标文件其他内容不变
更正日期：2024年12月11日
三、其他补充事宜
无
四、凡对本次公告内容提出询问，请按以下方式联系。
1.采购人信息
名 称：****大学
地址：**市**区中关村南大街5号
联系方式：林老师 010-****7981
2.采购代理机构信息
名 称：****集团****公司
地 址：**市**区丰葆路158号院国信招标
联系方式：张女士186****5266
3.项目联系方式
项目联系人：张女士
电 话： 186****5266
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