磁传感器晶圆制备及智能传感器模组产线技术改造项目
| 磁传感器晶圆制备及智能传感器模组产线技术改造项目 | 项目代码 2103-320552-89-02- 995858 | |
| 改扩建 | 环评文件类型 报告书 | |
| 版本：2021 | 行业类别（国民经济代码） C3983-敏感元件及传感器制造 | |
| 081-电子元件及电子专用材料制造 | ||
| 污染影响类 | 工程性质 非线性 | |
| ******市保税区**路2号D栋、E栋 | ||
| 江****管理委员会 | 环评审批文号 张保审批〔2021〕163号 | |
| 2021-08-06 | ||
| 913********825276H001Y | 排污许可批准时间 2023-10-19 | |
| 28000 | 项目实际环保投资(万元) 1070 | |
| ****公司 | 验收监测(调查)报告编制机构社会信用代码（或组织机构代码） 913********825276H | |
| ****公司 | 运营单位社会统一信用代码(或组织机构代码) 913********825276H | |
| ******公司 | 验收监测单位统一社会信用代码（或组织机构代码） ****0581MA1Y97PD3C | |
| 2023-08-20 | 验收监测时工况 无 | |
| 调试结束时间 | ||
| 2024-01-24 | 验收报告公开结束时间 2024-02-26 | |
| 网站 https://www.****.com/gs/detail/2?id=40124a5GBY | 自验信息提交时间 2024-02-29 | |
表1 水污染治理设施
| 1 | 污水处理站 | 《半导体行业污染物排放标准》（DB32/3747-2020）中表1间接排放限值，胜科水务接管标准 | 本项目冷却水循环使用，前道清洗废水、纯水制备产生的浓水由环评设计的接入污水管网改为用作中央空调冷却用水；后道清洗废水中光刻、去胶废水用“物化加药预处理+生化系统+膜浓缩回收系统+蒸发系统”的组合工艺，处理后回用，不外排。后道清洗废水中电镀废水采用“物化加药预处理+物理过滤吸附+膜浓缩回收系统+蒸发系统”的组合工艺，处理后废水回用，不外排。冷却水弃水和生活污水经化粪池预处理后接管至**保****公司处理。 | 废水总排口****公司其它项目的废水，不能满足验收监测的采样规范要求，本项目验收未进行废水的采样监测。 | 达标 |
表2 大气污染治理设施
| 1 | 废气处理设施 | 《半导体行业污染物排放标准》（DB32/3747-2020）；《大气污染物综合排放标准》（DB32/4041-2021） | 本项目环评设计的光刻、去胶工段产生的含有机废气、氨的废气和干法刻蚀工段产生的含氯气、氯化铝、氯化硼、氟、氮气、氧气、氬气的废气以及化学气相沉积工段产生的含少量硅烷、氮氧化物、氨、氮气、氢气的废气分别经4套等离子燃烧器裝置处理后再通过1套碱喷淋装置处理后最终由25米高的P2排气筒排放，实际建设变更为光刻、去胶工段产生的废气通过1套滤筒+活性炭吸附装置处理经23米高的P1排气筒（DA001）排放，干法刻蚀、化学气相沉积工段产生的废气分别经6套等离子燃烧器裝置处理后再通过1套碱喷淋装置处理后经25米高的P2排气筒（DA002）排放，另外，模组废气经一套滤网+活性炭吸附装置处理经19米高的 P3排气筒（DA003），其它未捕集废气和危废仓库内产生的废气无组织排放。 | 正常监测 | 达标 |
表3 噪声治理设施
表4 地下水污染治理设施
表5 固废治理设施
| 1 | 是 |
表6 生态保护设施
表7 风险设施
| 1 | 是 |
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