A****0300-电子工业生产设备

拟购置的“八英寸晶圆级氮化硅低压化学气相沉积设备”主要用于环栅纳米GAA等型结构器件关键集成工艺的研发，在GAA器件三维结构上生长不同化学计量比、不同折射率和不同厚度的高纯度、高致密度和高保形性的氮化硅薄膜，且在纳米线湿法工艺中对GeSi的湿法腐蚀具有非常高的选择比。关键核心工艺包括替代栅（RMG）两侧的氮化硅侧墙，GAA器件中的氮化硅内侧墙及层间介质（ILD0）。氮化硅低压化学气相沉积设备可以沉积高纯度、高致密度、高保形性的高质量的氮化硅薄膜，满足GAA器件的先导工艺的研发需求，是解决新结构GAA器件关键技术研发挑战问题的最佳选择。