技术规格及参数 | 1.溅射室极限真空度:≤6.0x10-5 Pa (经烘烤除气后); 真空获得采用FF150/700分子泵和优质机械泵(RVP-9,9L/S)+CF150电动插班阀,此配置具有抽速快,可获得高真空环境,提供薄膜的洁净度。 系统真空检漏漏率:≤5.0x10-7Pa.l/S; 系统从大气开始抽气:溅射室25分钟可达到7x10-4 Pa; 系统停泵关机12小时后真空度:≤5Pa 2,溅射室中配有3套国产50mm高性能永磁共焦磁控溅射靶(其中含一个强磁靶,各溅射靶距离可调),靶材尺寸:Ф50mm。分布在一个圆周上,各靶可独立/顺次/共同工作,磁控靶通水冷却,采用磁控靶在上,垂直向下溅射成膜,磁控靶RF、DC、MF兼容,可以溅射磁性材料,磁控靶配有气动挡板截流结构。磁控靶与基片的距离可调,调节距离为:60~90mm。 3.样品台布置在真空室底部,可放置最大直径100mm样品,样品具有连续旋转功能,旋转0—30转/分连续可调。 4.加热装置在真空室上法兰上,对基片托板进行加热,通过热电偶控制控温电源实现闭环控制,系统由加热器和1个加热控温电源组成,加热电源配备日本进口控温表,控温方式为PID自动控温及数字显示;样品加热温度:室温~500°C,连续可调; 5.系统配有三路国产怡东质量流量计+MFC控制进气系统(氩、氧、氧),流量分别为100SCCM、50SCCM、20SCCM。 共3路,配备独立混气室; 6.系统配有2台数字式500w脉冲直流电源和1台500w全自动匹配射频电源。1套-1000脉冲偏压电源; 7.加热装置在采用进口氮化钽加热器进行加热,加热温度:室温—1100°C,可耐氧气、耐氮气进行化学反应沉积,由热电偶闭环反馈控制,可控可调。 8.尺寸为4英寸的样品可均镀膜,不均匀度 为≤±3%(以镀膜金属薄膜进行验收,镀金属膜厚度约200nm) 9.后期提供相关涂层材料的研发协助,包括中熵合金,高熵合金,金属氧化物,高分子涂层等磁控溅射沉积工艺优化以及新型涂层材料开发; |