浙江先导热电科技股份有限公司年产2400万片半导体制冷器及部分应用产品,年清洗玻璃管50000根项目
1、建设项目基本信息
企业基本信息
**** | 建设单位代码类型:|
****0800MA28FEJJ40 | 建设单位法人:贺贤汉 |
徐谊凯 | 建设单位所在行政区划:******县 |
****园区**街道**路5号 |
建设项目基本信息
****年产2400万片半导体制冷器及部分应用产品,年清洗玻璃管50000根项目 | 项目代码:**** |
建设性质: | |
2021版本:080-电子器件制造 | 行业类别(国民经济代码):C3972-C3972-半导体分立器件制造 |
建设地点: | **省**市**县 ****园区**街道**路5号 |
经度:118.48282 纬度: 28.88118 | ****机关:****环境局 |
环评批复时间: | 2023-02-16 |
衢环常建〔2023〕3号 | 本工程排污许可证编号:****0800MA28FEJJ40001W |
项目实际总投资(万元): | 6000 |
278 | 运营单位名称:**** |
****0800MA28FEJJ40 | 验收监测(调查)报告编制机构名称:**市****公司 |
****0703MACB57291E | 验收监测单位:**中****公司,******公司 |
****0681MA2BDFYY79,913********50004XH | 竣工时间:2023-12-27 |
2024-01-08 | 调试结束时间:2024-01-15 |
2024-06-05 | 验收报告公开结束时间:2024-07-03 |
验收报告公开载体: | http://www.****.com/news/361.html |
2、工程变动信息
项目性质
改建 | 实际建设情况:改建 |
无 | 是否属于重大变动:|
规模
年产2400万片半导体制冷器,年清洗玻璃管50000根 | 实际建设情况:年产2400万片半导体制冷器(其中晶棒半成品产能为环评的68%),年清洗玻璃管50000根(不含焊接清洗、烘干工艺) |
项目环评中晶棒加工工序的区熔炉拟建设19台,项目实际建设区熔炉13台,晶棒半成品实际产能为环评的68%;项目环评中晶片焊接清洗机3台,实际未建设,目前厂区内焊接后清洗、烘干工序外协。 | 是否属于重大变动:|
生产工艺
半成品晶棒制备: ①纯化:因客户对产品的纯度要求提高,本项目新增对所购的碲、铋、锑、硒等原料进行提纯,提纯量约占总量的10%。在用真空提纯装置中分别抽真空然后加热至熔点。在设备中分段冷却后,去除表面黑色杂质,纯化过程中产生S1杂质;抽真空加热后,产生极少废气G1,车间无组织排放。 ②比例配料、装管、真空封口、熔炼 首先将碲、铋、锑等原料,在配料间内按比例准确称量,极少部分的碲、铋、锑须人工手持小锤子敲碎,粉尘产生量极少,此过程产生配料废气G2。将配好的原料分装到各石英管,对石英管进行氢氧焰烧管并抽真空使石英管完全封口;将装管后原料放置于熔炼炉(电加热),加热至700-800℃,材料熔化生成合金材料(包括Bi2Te3、Sb2Te3、Bi2Se3等),然后风扇冷却成晶锭。在该熔炼温度下,碲、铋、锑、硒均为达到相应物料的沸点,同时熔化时石英管处于密闭状态,因此不会产生烟尘。 ③分管真空封口、成型 对石英管进行切割取晶锭,对晶锭进行玻璃管分装。分装后玻璃管进行氢氧焰烧管,考虑到玻璃管熔化温度约650℃,因此控制烧管温度800~900℃并抽真空使玻璃管完全封口;烧管后将含晶锭的玻璃管在密闭成型炉(电加热)中成型,控制温度600~650℃2h。切割过程中极少量石英管破碎产生S2废石英管。 ④区熔、拉晶、退火 在密闭区熔炉(电加热)中控制温度(700℃)和时间(16h),实现材料的定向凝固进行拉晶。熔化拉晶后形成合金,其中P型是Bi2Te3—Sb2Te3,N型是Bi2Te3—Bi2Se3。拉晶后部分晶棒需进行退火消除应力。退火即将在退火炉中加热到340~360℃后自然降温。 ⑤取合金、测试 玻璃管进行切割处理,取出半成品晶棒。对得到的晶棒送至检测间进行测试,检测温差电动率及电导率等参数,不合格晶棒返回重新配料成型。不合格晶棒及晶棒切割首尾料可直接回用于生产,不做固废处理。 可以达到再次利用的玻璃管会进行封口处理,再次利用。当玻璃管长度不足时淘汰,此过程中产生S3废玻璃管。 TE片制备: ①切片 将合格晶棒半成品在切割机对晶棒边喷淋边切片。喷淋水夹带粉末流入沉淀池,上清液重新回用做喷淋水,定期补充损耗水,沉淀池定期捞渣,此过程中产生S4切片沉渣。 ②超声波清洗、烘干 得到的晶片经超声波清洗,清除晶片上残留的物料。清洗时间为5min,晶片清洗废水与切片废水进入同一沉淀池,不外排,清洗完毕后烘干去水分。产生S5切片清洗沉渣。 ③喷Ni、电镀 半导体材料由于其材料特性,不易在表面进行锡焊,因此需在材料表面喷涂一层镍层。镍层与半导体材料结合力很强,镍层表面又极易焊锡,以保证后续处理。干净切片再进行高温(最高温度1600℃)氢氧火焰喷涂Ni,将Ni熔化。未喷涂的Ni由底部吸风收集经滤筒式除尘器处理后高空排放。在喷镍过程中产生G3喷镍废气,主要为镍尘。喷Ni后进行电镀,电镀外协。 ④DICE切割 镀层后晶片通过**蜡粘于玻璃板并利用DICE切割机进行密闭喷水切粒。**蜡与玻璃板表面完全粘合,常温DICE切割仅对晶片进行切割,石蜡几乎不会进入切割废水中,上清液重新回用做喷淋水,定期补充损耗水,水槽定期捞渣,此过程中产生S6切粒沉渣。 ⑤超声波清洗、烘干、DICE选别 控制温度70~80℃超声波加洗净剂清洗去除**蜡并使用烘干机进行烘干,期间产生W1切粒清洗废水;烘干后使用显微镜对晶粒进行人工/DICE选别设备挑选,挑选得到合格晶粒,期间产生废晶粒S7。 ⑥印刷、组立 把适量的锡膏通过钢网均匀地施加在电子元件或电路板上,产生印刷废气G4。本项目采用常温印刷,挥发量极少;使用贴片机将晶粒粘于基板,进行组装。 ⑦回流炉焊接、焊接后清洗 组立完成后基板进入连续隧道式焊接机进行回流焊。通过加热温度重新融化将锡膏通过印刷机印刷到基板,焊接温度为240℃,在此温度下将晶粒焊粘牢基板。连续隧道式焊接机一头进料,一头出料,焊接时间为5min,在出料口及进料口两端进行抽气,使设备内部密闭微负压。过程中产生焊接废气G5。 焊接后使用异丙醇、水基清洗剂以及纯水进行超声**闭清洗。操作者将装有工件的清洗篮放在上料轨道上,上料轨道自动将清洗篮送入机械手吊篮位,通过单臂机械手依次送往各工序段,对工件进行一系列清洗烘干后,将清洗好的工件送回到上料轨道上,上料轨道将清洗篮送出。异丙醇由设备自带冷凝设施冷干回收(温度在10℃以下),过程中产生G6焊接清洗废气,S8废清洗剂(异丙醇)。纯水超声波清洗产生W2焊接清洗废水,异丙醇清洗在设备中冷干。⑧研磨、冲洗、烘干 研磨机加入研磨砂(金刚砂)和纯水,对基板研磨以修整高度。研磨采用边研磨边喷淋,此过程中产生S9研磨沉渣及S10废金刚砂,研磨废水W3。 研磨后采用纯水冲洗,清洗时间为5min,产生W4研磨清洗废水,清洗完毕后进入烘干机烘去水分。 ⑨DT测试、焊线 焊线前用DT测试仪测试产品的温差和电阻,测试完毕后,使用电烙铁把导线焊接到产品电极上。导线焊接时以无铅锡焊丝作为焊料,同时使用少量松香型助焊剂,产生G7焊线废气。 ⑩封胶、DT测试 半导体制冷器件半成品四周封入704胶,室温自然固化,此过程中产生G8封胶固化废气。封胶后用DT测试仪测试产品的温差和电阻,过程中有S11不合格品产生。 ⑾包装入库 将产品包装入库。 因客户对产品质量要求提高,本项目DICE切割后增加乙醇过水清洗便于DICE选别,焊接后使用异丙醇及水基清洗剂清洗以保证产品质量符合客户要求。此外,本项目晶棒和夹具之间采用502胶水进行固定,晶棒切割完毕后,将夹具及晶棒上下端料放入盛有丙酮溶液的盒子中浸泡,去除夹具与晶棒之间的胶水期间产生丙酮浸泡废气G9。因客户要求提高,部分产品在切粒清洗后增加乙醇过水,便于晶粒选别,期间产生乙醇浸泡废气G10。 原有项目玻璃棒及石英棒委外清洗,考虑到中途运输时对玻璃棒、石英棒清洗质量的影响,本项目新增玻璃棒清洗线,确保玻璃管、石英管的清洗质量。本项目只对自身使用的玻璃管、石英管进行清洗,不接收外来设备。 石英管清洗工艺流程简述: 石英管先在王水(17.5%硝酸,28.5%盐酸)常温浸泡2h后,经过纯水清洗处理,期间产生S12-1废酸,W5-1王水浸泡清洗废水。清洗后在4.5%氢氟酸清洗槽常温浸泡15min,浸泡完毕后经漂洗和纯水清洗,最后经纯水喷淋清洗,期间产生W6氢氟酸清洗废水,W7氢氟酸清洗后水洗废水以及W8-1纯水喷淋废水。清洗后放入烘箱,100℃5min。清洗槽之间输运均采用人工输送。 玻璃管清洗工艺流程简述: 玻璃管先在王水浸泡2h后,经过纯水清洗处理,最后经纯水喷淋清洗,期间产生S12-2废酸,W5-2王水浸泡清洗废水以及W8-2纯水喷淋废水。清洗后放入烘箱,100℃5min。 企业王水清洗槽、氢氟酸清洗槽均为并联槽,均为全密闭清洗槽,内部负压抽风。浸泡完毕后,开启密闭窗口,人工将玻璃棒、石英棒进行转移。石英管和玻璃管共用纯水喷淋槽和烘箱。 | 实际建设情况:半成品晶棒制备: ①纯化:因客户对产品的纯度要求提高,本项目新增对所购的碲、铋、锑、硒等原料进行提纯,提纯量约占总量的10%。在用真空提纯装置中分别抽真空然后加热至熔点。在设备中分段冷却后,去除表面黑色杂质,纯化过程中产生S1杂质;抽真空加热后,产生极少废气G1,车间无组织排放。 ②比例配料、装管、真空封口、熔炼 首先将碲、铋、锑等原料,在配料间内按比例准确称量,极少部分的碲、铋、锑使用破碎机破碎,粉尘产生量极少,此过程产生配料废气G2。将配好的原料分装到各石英管,对石英管进行氢氧焰烧管并抽真空使石英管完全封口;将装管后原料放置于熔炼炉(电加热),加热至700-800℃,材料熔化生成合金材料(包括Bi2Te3、Sb2Te3、Bi2Se3等),然后风扇冷却成晶锭。在该熔炼温度下,碲、铋、锑、硒均为达到相应物料的沸点,同时熔化时石英管处于密闭状态,因此不会产生烟尘。 ③分管真空封口、成型 对石英管进行切割取晶锭,对晶锭进行玻璃管分装。分装后玻璃管进行氢氧焰烧管,考虑到玻璃管熔化温度约650℃,因此控制烧管温度800~900℃并抽真空使玻璃管完全封口;烧管后将含晶锭的玻璃管在密闭成型炉(电加热)中成型,控制温度600~650℃2h。切割过程中极少量石英管破碎产生S2废石英管。 ④区熔、拉晶、退火 在密闭区熔炉(电加热)中控制温度(700℃)和时间(16h),实现材料的定向凝固进行拉晶。熔化拉晶后形成合金,其中P型是Bi2Te3—Sb2Te3,N型是Bi2Te3—Bi2Se3。拉晶后部分晶棒需进行退火消除应力。退火即将在退火炉中加热到340~360℃后自然降温。 ⑤取合金、测试 玻璃管进行切割处理,取出半成品晶棒。对得到的晶棒送至检测间进行测试,检测温差电动率及电导率等参数,不合格晶棒返回重新配料成型。不合格晶棒及晶棒切割首尾料可直接回用于生产,不做固废处理。 可以达到再次利用的玻璃管会进行封口处理,再次利用。当玻璃管长度不足时淘汰,此过程中产生S3废玻璃管。 TE片制备: ①切片 将合格晶棒半成品在切割机对晶棒边喷淋边切片。喷淋水夹带粉末流入沉淀池,上清液重新回用做喷淋水,定期补充损耗水,沉淀池定期捞渣,此过程中产生S4切片沉渣。 ②超声波清洗、烘干 得到的晶片经超声波清洗,清除晶片上残留的物料。清洗时间为5min,晶片清洗废水与切片废水进入同一沉淀池,不外排,清洗完毕后烘干去水分。产生S5切片清洗沉渣。 ③喷Ni、电镀(外协) 半导体材料由于其材料特性,不易在表面进行锡焊,因此需在材料表面喷涂一层镍层。镍层与半导体材料结合力很强,镍层表面又极易焊锡,以保证后续处理。干净切片再进行高温(最高温度1600℃)氢氧火焰喷涂Ni,将Ni熔化。未喷涂的Ni由底部吸风收集经滤筒式除尘器处理后高空排放。在喷镍过程中产生G3喷镍废气,主要为镍尘。喷Ni后进行电镀,电镀外协。 ④DICE切割 镀层后晶片通过**蜡粘于玻璃板并利用DICE切割机进行密闭喷水切粒。**蜡与玻璃板表面完全粘合,常温DICE切割仅对晶片进行切割,石蜡几乎不会进入切割废水中,上清液重新回用做喷淋水,定期补充损耗水,水槽定期捞渣,此过程中产生S6切粒沉渣。 ⑤超声波清洗、烘干、DICE选别 控制温度70~80℃超声波加洗净剂清洗去除**蜡并使用烘干机进行烘干,期间产生W1切粒清洗废水;烘干后使用显微镜对晶粒进行人工/DICE选别设备挑选,挑选得到合格晶粒,期间产生废晶粒S7。 ⑥印刷、组立 把适量的锡膏通过钢网均匀地施加在电子元件或电路板上,产生印刷废气G4。本项目采用常温印刷,挥发量极少;使用贴片机将晶粒粘于基板,进行组装。 ⑦回流炉焊接、焊接后清洗(外协)、烘干(外协) 组立完成后基板进入连续隧道式焊接机进行回流焊。通过加热温度重新融化将锡膏通过印刷机印刷到基板,焊接温度为240℃,在此温度下将晶粒焊粘牢基板。连续隧道式焊接机一头进料,一头出料,焊接时间为5min,在出料口及进料口两端进行抽气,使设备内部密闭微负压。过程中产生焊接废气G5。 焊接后使用异丙醇、水基清洗剂以及纯水进行超声**闭清洗。焊接后清洗、烘干外协。 ⑧研磨、冲洗、烘干 研磨机加入研磨砂(金刚砂)和纯水,对基板研磨以修整高度。研磨采用边研磨边喷淋,此过程中产生S9研磨沉渣及S10废金刚砂,研磨废水W3。 研磨后采用纯水冲洗,清洗时间为5min,产生W4研磨清洗废水,清洗完毕后进入烘干机烘去水分。 ⑨DT测试、焊线 焊线前用DT测试仪测试产品的温差和电阻,测试完毕后,使用电烙铁把导线焊接到产品电极上。导线焊接时以无铅锡焊丝作为焊料,同时使用少量松香型助焊剂,产生G7焊线废气。 ⑩封胶、DT测试 半导体制冷器件半成品四周封入704胶,室温自然固化,此过程中产生G8封胶固化废气。封胶后用DT测试仪测试产品的温差和电阻,过程中有S11不合格品产生。 ⑾包装入库 将产品包装入库。 因客户对产品质量要求提高,本项目DICE切割后增加乙醇过水清洗便于DICE选别,焊接后使用异丙醇及水基清洗剂清洗以保证产品质量符合客户要求。此外,本项目晶棒和夹具之间采用502胶水进行固定,晶棒切割完毕后,将夹具及晶棒上下端料放入盛有丙酮溶液的盒子中浸泡,去除夹具与晶棒之间的胶水期间产生丙酮浸泡废气G9。因客户要求提高,部分产品在切粒清洗后增加乙醇过水,便于晶粒选别,期间产生乙醇浸泡废气G10。 石英管清洗工艺流程简述: 石英管先在王水(17.5%硝酸,28.5%盐酸)常温浸泡2h后,经过纯水清洗处理,期间产生S12-1废酸,W5-1王水浸泡清洗废水。清洗后在4.5%氢氟酸清洗槽常温浸泡15min,浸泡完毕后经漂洗和纯水清洗,最后经纯水喷淋清洗,期间产生W6氢氟酸清洗废水,W7氢氟酸清洗后水洗废水以及W8-1纯水喷淋废水。清洗后放入烘箱,100℃5min。清洗槽之间输运均采用人工输送。 玻璃管先在王水浸泡2h后,经过纯水清洗处理,最后经纯水喷淋清洗,期间产生S12-2废酸,W5-2王水浸泡清洗废水以及W8-2纯水喷淋废水。清洗后放入烘箱,100℃5min。 企业王水清洗槽、氢氟酸清洗槽均为并联槽,均为全密闭清洗槽,内部负压抽风。浸泡完毕后,开启密闭窗口,人工将玻璃棒、石英棒进行转移。石英管和玻璃管共用纯水喷淋槽和烘箱。 |
先行验收 | 是否属于重大变动:|
环保设施或环保措施
废水治理:雨污分流、清污分流,并根据污水的水质,设置雨水系统和污水系统。晶片切割废水、晶棒切割清洗废水、切粒喷淋废水经厂区六级沉淀后上清液回用,定期捞渣;切粒过程中使用水淋,切粒后清洗废水中镍含量较少,经取样检测,现有项目切粒清洗废水中总镍浓度约0.20mg/L,满足《电子工业水污染物排放标准》表1中排放标准要求。切粒清洗废水、焊接清洗废水、研磨废水、研磨清洗废水经调节、絮凝沉淀及气浮处理;厕所污水经化粪池、食堂含油废水经隔油池预处理,含氟废水经中和除氟处理各废水****园区污水管网,****处理厂处理。 废气治理:回流焊负压抽风和人工焊接工位抽风,焊接废气经吸附棉吸附处理引至20m排气筒排放。焊接清洗有机废气通过冷凝+五级水喷淋+活性炭吸附装置进行治理,引至20m排气筒排放。喷镍粉尘经滤筒除尘装置引至20m排气筒排放。夹具清洗丙酮废气、晶粒浸泡乙醇废气加强车间通风。化学洗净酸雾经二级碱喷淋处理后,通过15m排气筒排放。 噪声治理:合理布局、基础减震、隔声。 固废治理:生活垃圾收集点。一般固废暂存场所,位于厂区东北角约200m2。危险固废暂存场所,位于厂区东北角约200m2。 | 实际建设情况:废水治理:雨污分流、清污分流,并根据污水的水质,设置雨水系统和污水系统。 晶片切割废水、晶棒切割清洗废水、切粒喷淋废水经厂区六级沉淀后上清液回用,定期捞渣;切粒清洗废水、研磨废水、研磨清洗废水经调节、絮凝沉淀及气浮处理;厕所污水经化粪池、食堂含油废水经隔油池预处理,含氟废水经中和除氟处理各废水****园区污水管网,****处理厂处理。 废气治理:回流焊负压抽风和人工焊接工位抽风,焊接废气收集后经吸附棉吸附处理后,通过20m排气筒排放。 本项目现阶段不产生焊接清洗有机废气。 项目喷镍粉尘收集后经滤筒除尘处理后,通过20m排气筒排放。 夹具清洗丙酮废气、晶粒浸泡乙醇废气无组织排放,已加强车间通风。 项目化学洗净酸雾收集后经二级碱喷淋处理后,通过20m排气筒排放。 噪声治理:本项目车间内优先选用低噪声先进设备,合理布局厂房,对高噪声设备采用隔声、减振措施,同时定期做好机械设备保养和维护工作,减少机械噪声产生。 固废治理:已设置生活垃圾收集点。 项目已设置一般固废暂存场所,面积约200m2。 项目已设置危险固废暂存场所,面积约200m2。 |
实际不产生焊接清洗废水和焊接清洗废气。 | 是否属于重大变动:|
其他
无 | 实际建设情况:无 |
无 | 是否属于重大变动:|
3、污染物排放量
0 | 6.6534 | 8.0498 | 0 | 0 | 6.653 | 6.653 | |
0 | 2.6614 | 3.22 | 0 | 0 | 2.661 | 2.661 | |
0 | 0.1331 | 0.161 | 0 | 0 | 0.133 | 0.133 | |
0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
0 | 0.0003 | 0.0003 | 0 | 0 | 0 | 0 | |
0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | / |
0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | 0 | / |
0 | 0.047 | 0.048 | 0 | 0 | 0.047 | 0.047 | / |
0 | 0.0009 | 0.007 | 0 | 0 | 0.001 | 0.001 | / |
0 | 0.0901 | 1.119 | 0 | 0 | 0.09 | 0.09 | / |
4、环境保护设施落实情况
表1 水污染治理设施
1 | 调节、絮凝沉淀及气浮 | 《电子工业水污染物排放标准》(GB39731-2020)间接排放 | 已监测 | 项目切粒清洗废水车间排放口车间排放口中镍最大日均排放浓度值为:0.024mg/L | |
2 | 中和、除氟系统 | 电子工业水污染物排放标准》(GB39731-2020)间接排放 | 已建设 | 厂区生产废水处理设施出口中pH值范围为7.2~7.3;CODcr、SS、氨氮、BOD5、总磷、石油类、动植物油、总氮、总镍、LAS、氟化物最大日均排放浓度值分别为:62mg/L、24mg/L、1.70mg/L、26.2mg/L、<0.01mg/L、1.11mg/L、0.76mg/L、15.4mg/L、0.10mg/L、0.35mg/L、1.16mg/L | |
3 | 综合调节池 | 《电子工业水污染物排放标准》(GB39731-2020)间接排放标准 | 已建设 | 厂区废水总排口中pH值范围为6.8~6.9;CODcr、SS、氨氮、BOD5、总磷、石油类、动植物油、总氮、总镍、LAS、氟化物最大日均排放浓度值分别为:96mg/L、14mg/L、5.39mg/L、35.3mg/L、<0.01mg/L、0.62mg/L、1.19mg/L、15.8mg/L、<0.02mg/L、0.14mg/L、1.40mg/L |
表2 大气污染治理设施
1 | 滤筒除尘 | 《大气污染物综合排放标准》(GB16297-1996)表2 | 已建设 | 项目喷镍废气处理设施出口中镍及其化合物的最大平均排放浓度为60μg/m3,最大平均排放速率为1.05×10-4kg/h | |
2 | 吸附棉吸附 | 《大气污染物综合排放标准》(GB16297-1996)表2 | 已建设 | 项目回流焊、焊线烟气处理设施出口中锡及其化合物的最大平均排放浓度为39μg/m3,最大平均排放速率为3.27×10-4kg/h;非甲烷总烃的最大平均排放浓度为2.66mg/m3,最大平均排放速率为0.22kg/h | |
3 | 二级碱喷淋 | 《大气污染物综合排放标准》(GB16297-1996)表2 | 已建设 | 项目王水浸泡酸雾、氢氟酸洗酸雾处理设施出口中氯化氢的最大平均排放浓度为1.11mg/m3,最大平均排放速率为0.018kg/h;氟化物的最大平均排放浓度为2.63mg/m3,最大平均排放速率为0.042kg/h;氮氧化物的最大平均排放浓度为5mg/m3,最大平均排放速率为0.079kg/h | |
4 | 油烟净化器 | 《饮食业油烟排放标准(试行)》(GB18483-2001) | 已建设 | 项目食堂油烟废气处理设施出口中饮食业油烟的最大平均排放浓度为1.7mg/m3 |
表3 噪声治理设施
1 | 基础减振 | 厂界东、南、北侧执行《工业企业厂界环境噪声排放标准》(GB 12348-2008)3类标准;厂界西侧执行《工业企业厂界环境噪声排放标准》(GB 12348-2008)4类标准 | 已建设 | 已监测 |
表4 地下水污染治理设施
表5 固废治理设施
1 | 加强固废污染防治。按照“**化、减量化、无害化”处置原则,建立台账制度,规范设置废物暂存库,危险废物和一般固废分类收集、堆放、分质处置,尽可能实现**的综合利用。项目产生的危险废物必须委托有相应危废处理资质且具备处理能力的单位进行处置。严格执行危废申报、管理计划备案、台账登记等环境管理制度。一般固废的贮存和处置须符合GB18599-2020等相关要求,确保处置过程不对环境造成二次污染。 | 已落实。 本项目纯化杂质、废石英管、废玻璃管、废刀片、一般包装材料、中和除氟污泥、切片、切粒沉渣、研磨沉渣及沉淀污泥、废水处理污泥、纯水制备固废(废石英砂、废活性炭、废树脂、废滤膜)外售综合利用;废清洗剂、废酸、危化品废包装材料、再生废液暂存危废间,委托****进行处置;废吸附棉、含镍收尘暂未产生,产生后委托有资质单位进行处置;生活垃圾统一由环卫部门清运。 |
表6 生态保护设施
表7 风险设施
1 | 加强日常生态环保管理和环境风险防范与应急。落实《报告表》提出的各项风险防范要求,防止污染事故发生,降低事故风险。 | 已落实。 已加强日常生态环保管理和环境风险防范与应急。已落实《报告表》提出的各项风险防范要求,防止污染事故发生,降低事故风险。 企业已编制了《****突发环境事件应急预案》,并于2023年11月3****环境局**分局备案,备案号:330822-2023-044-M。 |
5、环境保护对策措施落实情况
依托工程
无 | 验收阶段落实情况:无 |
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环保搬迁
无 | 验收阶段落实情况:无 |
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区域削减
无 | 验收阶段落实情况:无 |
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生态恢复、补偿或管理
无 | 验收阶段落实情况:无 |
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功能置换
无 | 验收阶段落实情况:无 |
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其他
无 | 验收阶段落实情况:无 |
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6、工程建设对项目周边环境的影响
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7、验收结论
1 | 未按环境影响报告书(表)及其审批部门审批决定要求建设或落实环境保护设施,或者环境保护设施未能与主体工程同时投产使用 |
2 | 污染物排放不符合国家和地方相关标准、环境影响报告书(表)及其审批部门审批决定或者主要污染物总量指标控制要求 |
3 | 环境影响报告书(表)经批准后,该建设项目的性质、规模、地点、采用的生产工艺或者防治污染、防止生态破坏的措施发生重大变动,建设单位未重新报批环境影响报告书(表)或环境影响报告书(表)未经批准 |
4 | 建设过程中造成重大环境污染未治理完成,或者造成重大生态破坏未恢复 |
5 | 纳入排污许可管理的建设项目,无证排污或不按证排污 |
6 | 分期建设、分期投入生产或者使用的建设项目,其环境保护设施防治环境污染和生态破坏的能力不能满足主体工程需要 |
7 | 建设单位因该建设项目违反国家和地方环境保护法律法规受到处罚,被责令改正,尚未改正完成 |
8 | 验收报告的基础资料数据明显不实,内容存在重大缺项、遗漏,或者验收结论不明确、不合理 |
9 | 其他环境保护法律法规规章等规定不得通过环境保护验收 |
不存在上述情况 | |
验收结论 | 合格 |
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