QN-5X1D项目国产分立器件采购信息公示
QN-5X1D项目国产分立器件采购信息公示
一、项目概况
（一）项目编号：****
（二）项目名称：QN-5X1D项目国产分立器件
（三）项目内容及需求：
1、数量：阶梯价格＜100，100≤X＜1000，1000≤X＜10000，10000≤X＜50000，≥50000
2、交期：****公司需求计划。
3、技术要求：
（1）高压电阻
R1206封装，耐压1500V以上，50MΩ
（2）多层高压瓷介电容器
C6878封装（不要支架型），≥2KV，0.4mF
（3）高分子钽电解电容（3款）
①C7343，E壳体，22μF/50V
②C7343，E壳体，470μF/10V
③C6032，C壳体，22μF/16V
（4）模压陶瓷电容
C7343，E壳体，22μF/50V
（5）三端滤波电容
C1206，22μF/100V，10A
（6）N-MOS控制晶闸管
工作电压：典型值3.3V
耐压值：不低于1700V
重复脉冲电流：不小于4000A
封装：TO-263-4L
（7） N-MOS场效应管1
漏极-源极电压：+100V
栅极-源极电压：±20V
漏极直流电流：142A
总耗散功率：100W
封装：SMD-1
（8）N-MOS场效应管2
漏源电压：150V
栅源电压：±20V
漏极连续电流：80A
耗散功率：160W
封装：DFN5*6
（9）三端可调精密稳压器（参考78L15）
输入：24V-35V
输出：15V
封装：SOT_89
（10） 开关二极管
反向工作峰值电压：75V
封装：SOD-323
正向电流：200mA
总耗散功率：200mW
反向恢复时间：≤6.0ns
（11） 整流二极管1（可参考进口VS-8EWS16STR）
VRRM最大额定值：1600V
IF最大额定值：8A
IFSM最大额定值：200A
封装：T0-252
（12） 整流二极管2
反向工作峰值电压VRWM：≥2000V
整流输出平均电流Io：≥0.2A
反向漏电流：≤20mA
反向恢复时间：≤100ns
最大正向压降：≤15V
封装：DO-214AC
（13） 单向瞬态抑制二极管（参考进口SMBJ36A）
（14）双向瞬态抑制二极管（参考进口SMCJ10CA）
（15）光电耦合器1
高速逻辑门输出型光耦合器
传输延迟：小于1us
输入端额定电压：0V-5V
输出端电源电压：15V±1V
输出端输出电压：15V±1V
封装：SOP5
（16） 光电耦合器2
光敏晶体管输出型光耦合器
通道数：单通道
脉冲上升时间：4ms
脉冲下降时间：7ms
封装：SOP4
（17） 磁珠
叠层片式功率磁珠
标称阻抗（100MHz）：330Ω
封装尺寸：0603
（18）共模电感
封装：L7060
规格尺寸：7.0mm 6.0mm
阻抗：700W
额定电流：最大4A
额定电压：最大80V
详细技术参数后续通过邮件发送。
二、资格要求
（一）必须符合《政府采购法》第二十二条规定的条件：
1、具有独立承担民事责任的能力。
2、具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度。
3、具有履行合同所必需的设备和专业技术能力。
4、有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录。
5、法律、行政法规规定的其他条件。
6、需提供参加本项目投标活动前三年内，在经营活动中无重大违法、违规记录、重**全生产事故的声明。
7、未被列入“信用中国”网站(www.****.cn )失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录名单和“中国政府采购网”（www.****.cn ）政府采购严重违法失信行为记录名单，提供网上查询结果记录（查询日期在发布公告之后），截图打印。
（二）特定资格要求：
1、参与企业必须为货物的生产厂家或代理商，代理商必须持有生产厂家代理证书（代理时间不少于1年），不接受项目授权证书。
2、本次招标不接受联合体投标。
三、供应商资料递交截止时间和地点
（一）截止时间：2024-8-26 12:00
（二）地点：****开发区****路6号
四、联系事项
联系人：徐红凤 电话：027-****8299
五、监督电话
审计监察部：027-****5028
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