CG2024-09-01-1询价单
基本信息
询价单名称: ****询价单
询价单编号: ****
询价人名称: 谢雨石
询价时间: 2024-09-10 10:21:12
询价人电话: 159****4117
采购类型: 单次采购
采购企业: ******公司
报价商品
| 1 | - | B2B连接器 | 元器件 | 型号:FTE-125-01-G-DV-ES-A;规格:公头,封装 SMT(表贴),双排50PIN, PIN间距0.8mm,高度4.6mm;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | SAMTEC | SAMTEC | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | SATA连接器 | 元器件 | 型号:127043FB022S521ZL;规格:封装 SMT(表贴),22PIN;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | SUYIN公司 | SUYIN公司 | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 转接器 | 元器件 | 型号:Powersync DV24VGK;规格:包尔星克DVI-VGA的转接器;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | 包尔星克 | 包尔星克 | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 转接线 | 元器件 | 型号:CB-202;规格:包尔星克USB-PS2+KB2的转接线;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | 包尔星克 | 包尔星克 | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 内存 | 元器件 | 型号:M3S0-4GSCKWPB;规格:4GB/DDR3/1600MHz/工业级宽温;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | ATP | ATP | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 固态盘 | 元器件 | 型号:SSD25-512MLC3D1DB;规格:512G/MLC固态盘/宽温-40℃-85℃/ATP公司;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | MLC | MLC | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 锂电池 | 元器件 | 型号:CR2032;规格:尺寸 Φ20.0mm,厚度3.2mm, 电压 3V,容量 220mAh, 放电电流 0.2mA;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | MAXCELL | MAXCELL | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 多层片式瓷介电容器 | 元器件 | 型号:GRM188R71H104MA01L;规格:容值 0.1μF,耐压 50V, 容差 ±20%,封装 0603;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | MURATA | MURATA | 84.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 多层片式瓷介电容器 | 元器件 | 型号:GRM155R71E104KE14#;规格:容值 0.1uF,耐压 25V, 容差 ±20%,封装 0402;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | MURATA | MURATA | 442.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 多层片式瓷介电容器 | 元器件 | 型号:GRM32DR71E106KA12L;规格:容值 10uF 耐压 25V,容差 ±20%,封装 1210;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | MURATA | MURATA | 54.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 多层片式瓷介电容器 | 元器件 | 型号:GRM32CR72A105KA35L;规格:容值 1uF 耐压 50V,容差 ±10%,封装 1210;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | MURATA | MURATA | 9.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 多层片式瓷介电容器 | 元器件 | 型号:GRM155R71H102KA01#;规格:容值 1000pF 耐压 50V,容差 ±10%,封装 0402,;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | MURATA | MURATA | 16.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 多层片式瓷介电容器 | 元器件 | 型号:GRM1555C1H220JZ01D;规格:容值 22pF 耐压 50V,容差 ±5%,封装 0402;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | MURATA | MURATA | 41.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 多层片式瓷介电容器 | 元器件 | 型号:GRM21BR71A106KE51L;规格:容值 10uF,耐压 10V, 容差 ±20%,封装 0805;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | MURATA | MURATA | 80.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 多层片式瓷介电容器 | 元器件 | 型号:GRM155R71H224ME01D;规格:容值 0.22uF,耐压 50V, 容差 ±20%,封装 0402;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | MURATA | MURATA | 230.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 多层片式瓷介电容器 | 元器件 | 型号:GRM155R71H334ME01D;规格:容值 0.33uF,耐压 50V, 容差 ±20%,封装 0402;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | MURATA | MURATA | 25.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 多层片式瓷介电容器 | 元器件 | 型号:GRM155R31H103MA88D;规格:容值 0.01uF,耐压 50V, 容差 ±20%,封装 0402;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | MURATA | MURATA | 369.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 多层片式瓷介电容器 | 元器件 | 型号:GRM155R71H105MA01D;规格:容值 1uF,耐压 50V, 容差 ±20%,封装 0402;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | MURATA | MURATA | 73.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 多层片式瓷介电容器 | 元器件 | 型号:GRM188R71H105MA01D;规格:容值 1uF,耐压 50V, 容差 ±20%,封装 0603;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | MURATA | MURATA | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 多层片式瓷介电容器 | 元器件 | 型号:GRM155B11H471MA01D;规格:容值 470pF,耐压 50V, 容差 ±20%,封装 0402;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | MURATA | MURATA | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 多层片式瓷介电容器 | 元器件 | 型号:GRM155R71H150MA01D;规格:容值 15pF,耐压 50V, 容差 ±20%,封装 0402;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | MURATA | MURATA | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 多层片式瓷介电容器 | 元器件 | 型号:GRM32ER71E226ME15L;规格:容值 22uF 耐压 25V,容差 ±20%,封装 1210;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | MURATA | MURATA | 44.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 钽电解电容器 | 元器件 | 型号:TAJE476K035RNJ;规格:容值 47μF,耐压 35V, 容差 ±10%,封装 7343(E);质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | AVX | AVX | 32.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 钽电解电容器 | 元器件 | 型号:TAJE337K016RNJ;规格:容值 330μF,耐压 16V, 容差 ±10%,封装 7343(E);质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | AVX | AVX | 48.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 千兆以太网控制器 | 元器件 | 型号:WG82574IT;规格:封装 QFN64;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | INTEL | INTEL | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | RS232转换器 | 元器件 | 型号:MAX213IDBR;规格:封装 SSOP28;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | MAXIM | MAXIM | 6.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 差分时钟缓冲器 | 元器件 | 型号:ICS9DB106BGILF;规格:封装 SSOP28;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | IDT | IDT | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | SMBus电平转换器 | 元器件 | 型号:PCA9512ADP;规格:封装 TSSOP8;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | Philips | Philips | 6.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | SPI串行E2PROM 32Kbit | 元器件 | 型号:AT25320B-SSHL-T;规格:封装 SOIC8;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | ATMEL | ATMEL | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 瞬态电压抑制器TVS管阵列 | 元器件 | 型号:RCLAMP0524PATCT;规格:封装 PSON10;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | SEMTECH | SEMTECH | 12.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 肖特基二极管 | 元器件 | 型号:B340A;规格:电流 3A 封装 SMA;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | VISHAY | VISHAY | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 自恢复保险器 | 元器件 | 型号:MF-MSMF110-2;规格:电压 6V,电流 2.2A, 封装 4532 (1812);质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | BOURNS | BOURNS | 6.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 片式磁珠 | 元器件 | 型号:BLM18BB750SN1D;规格:片式磁珠 75ohm±25%@100MHz/20℃, 电流 2A,封装 0603;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | MURATA | MURATA | 19.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 片式磁珠 | 元器件 | 型号:BLM18PG121SN1D;规格:片式磁珠 120ohm±25%@100MHz/20℃, 电流 2A,封装 0603;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | MURATA | MURATA | 12.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 片式磁珠 | 元器件 | 型号:BLM18PG181SN1D;规格:片式磁珠 180ohm±25%@100MHz/20℃, 电流 1.5A,封装 0603;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | MURATA | MURATA | 28.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 片式磁珠 | 元器件 | 型号:BLM18SG700TN1D;规格:70ohm±25%@100MHz/20℃, 电流 4A,封装 0603;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | MURATA | MURATA | 6.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 支撑柱 | 元器件 | 型号:ECM00579-L;规格:支撑柱M2.****.6mm, E=3.15(焊接);质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | 長豐企业股份 | 長豐企业股份 | 9.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 支撑柱 | 元器件 | 型号:ECM00530-L;规格:支撑柱M2.****.6mm, E=3.15(焊接);质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | 長豐企业股份 | 長豐企业股份 | 32.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 支撑柱 | 元器件 | 型号:ECM00247-L;规格:支撑柱M2.****.6mm, E=4.6(压接) 非焊接件,压接件。;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | 長豐企业股份 | 長豐企业股份 | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 电感 | 元器件 | 型号:IHLP3232DZER3R3M01;规格:封装 8.1×8.1 感值 3.3uH;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | VISHAY | VISHAY | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 电感 | 元器件 | 型号:IHLP5050CEERR47M01;规格:封装 12×12 感值 0.47uH;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | VISHAY | VISHAY | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 蜂鸣器 | 元器件 | 型号:PS1240P02CT3;规格:封装 PIEZO1;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | TDK | TDK | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 晶体谐振器 | 元器件 | 型号:HC-49S-25M;规格:频率 25.000MHz,精度 50ppm 封装 DIP2(5mm);质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | 凯擎** | 凯擎** | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 晶体振荡器 | 元器件 | 型号:D70K40.000BB22;规格:输入电压 +3.3V,输出 TTL, 频率 40MHz,封装 SMD(7050);质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | 凯擎** | 凯擎** | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 片式膜固定电阻器 | 元器件 | 型号:RTT03122JTP;规格:阻值 1.2KΩ,功率 0.1W, 精度 ±5%, 封装 0603;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | 旺诠 | 旺诠 | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 片式膜固定电阻器 | 元器件 | 型号:RTT03152JTP;规格:阻值 1.5KΩ,功率 0.1W, 精度 ±5%, 封装 0603;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | 旺诠 | 旺诠 | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 片式膜固定电阻器 | 元器件 | 型号:RTT031873JTP;规格:阻值 187KΩ,功率 0.1W, 精度 ±5%, 封装 0603;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | 旺诠 | 旺诠 | 6.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 片式膜固定电阻器 | 元器件 | 型号:RTT03203JTP;规格:阻值 20KΩ,功率 0.1W, 精度 ±5%, 封装 0603;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | 旺诠 | 旺诠 | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 片式膜固定电阻器 | 元器件 | 型号:RTT032872JTP;规格:阻值 28.7KΩ,功率 0.1W, 精度 ±5%, 封装 0603;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | 旺诠 | 旺诠 | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 片式膜固定电阻器 | 元器件 | 型号:RTT032942JTP;规格:阻值 29.4KΩ,功率 0.1W, 精度 ±5%, 封装 0603;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | 旺诠 | 旺诠 | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 片式膜固定电阻器 | 元器件 | 型号:RTT038061JTP;规格:阻值 8.06KΩ,功率 0.1W, 精度 ±5%, 封装 0603;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | 旺诠 | 旺诠 | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 片式膜固定电阻器 | 元器件 | 型号:RTT03103JTP;规格:阻值 10KΩ,功率 0.1W, 精度 ±5%, 封装 0603;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | 旺诠 | 旺诠 | 9.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 片式膜固定电阻器 | 元器件 | 型号:RTT03000JTP;规格:阻值 0Ω,功率 0.1W, 精度 ±5%, 封装 0603;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | 旺诠 | 旺诠 | 41.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 片式膜固定电阻器 | 元器件 | 型号:RTT25106JTP;规格:阻值 10MΩ,功率 1W, 精度 ±5%, 封装 2512;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | 旺诠 | 旺诠 | 6.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 片式膜固定电阻器 | 元器件 | 型号:RTT03102JTP;规格:阻值 1KΩ,功率 0.1W, 精度 ±5%, 封装 0603;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | 旺诠 | 旺诠 | 96.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 片式膜固定电阻器 | 元器件 | 型号:RTT03103JTP;规格:阻值 10KΩ,功率 0.1W, 精度 ±5%, 封装 0603;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | 旺诠 | 旺诠 | 67.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 片式膜固定电阻器 | 元器件 | 型号:RTT03302JTP;规格:阻值 3KΩ,功率 0.1W, 精度 ±1%, 封装 0603;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | 旺诠 | 旺诠 | 57.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 片式膜固定电阻器 | 元器件 | 型号:RTT03472JTP;规格:阻值 4.7KΩ,功率 0.1W, 精度 ±5%, 封装 0603;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | 旺诠 | 旺诠 | 93.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 片式膜固定电阻器 | 元器件 | 型号:RTT0333R0FTP;规格:阻值 33Ω,功率 0.1W, 精度 ±1%, 封装 0603;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | 旺诠 | 旺诠 | 54.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 片式膜固定电阻器 | 元器件 | 型号:RTT03151JTP;规格:阻值 150Ω,功率 0.1W, 精度 ±5%, 封装 0603;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | 旺诠 | 旺诠 | 16.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 片式膜固定电阻器 | 元器件 | 型号:RTT034991FTP;规格:阻值 4.99KΩ,功率 0.1W, 精度 ±1%, 封装 0603;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | 旺诠 | 旺诠 | 6.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 片式膜固定电阻器 | 元器件 | 型号:RTT032211FTP;规格:阻值 2.21KΩ,功率 0.1W, 精度 ±1%, 封装 0603;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | 旺诠 | 旺诠 | 32.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 片式膜固定电阻器 | 元器件 | 型号:RTT03301JTP;规格:阻值 300Ω,功率 0.1W, 精度 ±5%, 封装 0603;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | 旺诠 | 旺诠 | 44.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 片式膜固定电阻器 | 元器件 | 型号:RTT0351R0FTP;规格:阻值 51Ω,功率 0.1W, 精度 ±1%, 封装 0603;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | 旺诠 | 旺诠 | 44.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 片式膜固定电阻器 | 元器件 | 型号:RTT034750FTP;规格:阻值 475Ω,功率 0.1W, 精度 ±1%, 封装 0603;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | 旺诠 | 旺诠 | 6.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 片式膜固定电阻器 | 元器件 | 型号:RTT03105JTP;规格:阻值 1MΩ,功率 0.1W, 精度 ±5%, 封装 0603;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | 旺诠 | 旺诠 | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 片式固定电阻网络16P8R | 元器件 | 型号:RTA02-8D510JTP;规格:片式固定电阻网络16P8R 阻值 51Ω,功率 1/32W, 精度 ±5%,封装 0402×8;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | 旺诠 | 旺诠 | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 片式固定电阻网络16P8R | 元器件 | 型号:RTA02-8D330JTP;规格:阻值 33Ω,功率 1/32W, 精度 ±5%,封装 0402×8;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | 旺诠 | 旺诠 | 6.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 电源分配转换器 | 元器件 | 型号:TPS2024DRG4;规格:封装 SO8;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | TI | TI | 6.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 电源芯片 | 元器件 | 型号:TPS73233DBVR;规格:封装 SOT23(DBV);质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | TI | TI | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 电源芯片 | 元器件 | 型号:LTC4362IDCB-2;规格:封装 TSOT-23;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | LINEAR | LINEAR | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 接口转换芯片 | 元器件 | 型号:CP2102-GM;规格:封装 QFN28;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | Silicon Laboratories | Silicon Laboratories | 6.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 接口转换芯片 | 元器件 | 型号:CH7318C-BF;规格:封装 QFN48;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | CHRONTEL | CHRONTEL | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | PCIe Switch | 元器件 | 型号:PEX8734-AB80BI G;规格:封装 BGA676;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | PLX Technology | PLX Technology | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | CPLD芯片 | 元器件 | 型号:EPM570F100I5N;规格:封装 FBGA100;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | ALTERA | ALTERA | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | SPI串行E2PROM 32Kbit | 元器件 | 型号:AT25128B-SSHL-B;规格:封装 SO-8;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | ATMEL | ATMEL | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 电源芯片 | 元器件 | 型号:TPS54332DDA;规格:封装 SO-8 工作温度 –40℃ to +85℃;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | TI | TI | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 电源芯片 | 元器件 | 型号:TPS53219RGTR;规格:封装 QFN16 工作温度 –40℃ to +85℃;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | TI | TI | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 双路功率MOSFET | 元器件 | 型号:CSD87350Q5D;规格:双路功率MOSFET;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | TI | TI | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 双路晶体管 | 元器件 | 型号:BC847BDW1T1G;规格:封装 SC-88;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | ON SEMI | ON SEMI | 9.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 双路小信号MOSFET | 元器件 | 型号:NTJD4001NT1;规格:封装 SC-88;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | ON SEMI | ON SEMI | 16.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 低容TVS阵列 | 元器件 | 型号:RCLAMP0504F.TCT;规格:封装 SC-70;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | SEMTECH | SEMTECH | 16.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 肖特基二极管 | 元器件 | 型号:BAT54S;规格:封装 SOT-23;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | FAIRCHILD | FAIRCHILD | 16.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | PNP功率晶体管 | 元器件 | 型号:BCP69;规格:封装 SOT223(BCP);质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | PHILIPS | PHILIPS | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | B2B连接器 | 元器件 | 型号:QT002206-4141-9F;规格:母头,封装 SMT(表贴), 一对 四排440PIN, PIN间距0.5mm,高度8mm;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | FOXCONN | FOXCONN | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | SMB连接器 | 元器件 | 型号:SMB-JWYZ-1;规格:公头,90度弯插,长度≥21.2mm;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | **电子 | **电子 | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | DVI-I连接器 | 元器件 | 型号:QH11121-DAT1-4F;规格:公头,90度弯插,29PIN,带螺柱;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | FOXCONN | FOXCONN | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | Display Port连接器 | 元器件 | 型号:C-****451-1;规格:公头,90度弯插,20PIN;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | TE泰科 | TE泰科 | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 锂电池座连接器 | 元器件 | 型号:BB10201-C1401-7F;规格:封装 SMT(表贴),2PIN 焊盘间距离 30.1mm;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | FOXCONN | FOXCONN | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | B2B连接器 | 元器件 | 型号:CLE-125-01-G-DV-A;规格:母头,封装 SMT(表贴),双排50PIN, PIN间距0.8mm, 高度5mm;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | SAMTEC | SAMTEC | 9.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 10pin表贴JTAG插座 | 元器件 | 型号:SL7205F-RNK;规格:母头,封装 SMD10(表贴), 双排10PIN,PIN间距2.00mm;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | SUYIN | SUYIN | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | PXI Express总线UPM连接器XP1 | 元器件 | 型号:254019;规格:PXI Express总线UPM连接器XP1;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | ERNI | ERNI | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | PXI Express总线ADF连接器 | 元器件 | 型号:973028;规格:PXI Express总线ADF连接器;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | ERNI | ERNI | 6.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | PXI Express总线eHM连接器XJ4 | 元器件 | 型号:214443;规格:PXI Express总线eHM连接器XJ4;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | ERNI | ERNI | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 单排插针 | 元器件 | 型号:201S-1×1-1×3B;规格:封装 SIP3(方直插针),间距2.54mm;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | 南士 | 南士 | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 跳线帽/短路器 | 元器件 | 型号:207-6B;规格:跳线帽/短路器,配合单排插针使用;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | 南士 | 南士 | 3.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 多层片式瓷介电容器 | 元器件 | 型号:GRM155B11H471MA01D;规格:多层片式瓷介电容器 容值 470pF,耐压 50V, 容差 ±20%,封装 0402;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | MURATA | MURATA | 51.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 多层片式瓷介电容器 | 元器件 | 型号:GRM155R71E104KE14#;规格:多层片式瓷介电容器 容值 0.1uF,耐压 25V, 容差 ±20%,封装 0402;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | MURATA | MURATA | 25.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 多层片式瓷介电容器 | 元器件 | 型号:CC1206MFX7RDN102;规格:瓷介电容器 容值 1nF,耐压 2000V,容差 ±5%,封装 1206;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | YAGEO | YAGEO | 19.0 | 只 | | - | - | - | |
| 1 | - | 片式膜固定电阻器 | 元器件 | 型号:RTT03750FTP;规格:片式膜固定电阻器 阻值 75Ω,功率 1/25W, 精度 ±1%, 封装 0603;质量等级/性能等级:工业级;特殊要求:两年内 | 旺诠 | 旺诠 | 25.0 | 只 | | - | - | - |
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