西安电子科技大学2024年11月至2025年03月政府采购意向公开
****大学2024年11月至2025年03月政府采购意向公开
为便****政府采购信息， 根据《****政府采购意向公开工作的通知》 （财库〔2020〕10号）等有关规定，****大学2024年11月至2025年03月政府采购意向公开如下：
| 序号 | 采购项目名称 | 意向编号 | 采购品目 | 采购需求概况 | 预算金额(万元) | 预计采购日期 | 备注 |
| 1 | 采样示波器 | **** | A****9900 其他电子和通信测量仪器,A****1000 电子示波器 | 通过不同的滤波器选件配置，支持NRZ/PAM4信号测试，带宽≥70GHz，本底噪声≤1.2mV (rms)，转换时间（10%-90%）≤5ps。 | 112 | 2025年03月 | |
| 2 | 综合光学成像系统 | ****09079 | A****0399 其他光学仪器 | 综合成像系统包含：高速激光光源模块、光学诊断模块、成像模块等。 1. 高速激光光源模块：1064/532双波长输出；能量≥400mj@1064；重频：≥100Hz 2. 光学诊断模块：可提供1.5mj~3J的光束能量测量，波长范围266~2100nm，响应频率≥300Hz； 可提供光束轮廓分析，像素间距≤5μm，像素数量≥2048*1024，满足连续及脉冲两种工作方式； 3. 成像模块：结构光成像模组：近红外相机，量子效率≥80%；结构光阵列：分辨率：1920×1080，1-8灰度等级可设置；油浸物镜倍数60×,NA=1.42；光声成像模组：提供线性/环形超声阵列256单元，中心频率5MHz/10MHz，带宽≥80%; OCT成像模组：成像速度：≥20 kHz；成像深度：~2 mm；灵敏度：≥100 dB；轴向分辨率a：≤ 10 um；横向分辨率b：≤ 10 um； | 236 | 2024年11月 | |
| 3 | 离子注入机 | ****09080 | A****0300 电子工业生产设备 | 能量 ：400kev（1价）、700keV（2价）、1050keV（3价）；最高温度500℃；装载方式为ESC，能够搭载高温静电卡盘、常温静电卡盘两种。 | 1910 | 2024年11月 | |
| 4 | 8英寸深孔刻蚀设备 | ****09081 | A****0300 电子工业生产设备 | 带Bosch工艺；刻蚀深宽比大于30；6寸/8寸两套压环。 | 520 | 2024年11月 | |
| 5 | 非接触方阻测试设备 | ****09082 | A****0204 半导体器件参数测量仪 | 可测产品尺寸包括2~8inch； 1.2测量方式：非接触式、无损伤测量，不需要裂片、制备电极等任何处理，测试结束片子可以正常进行后续工艺流程； 1.3 测试速度：方阻测试（55点Mapping）≤5min/pcs； 1.4电阻率测试范围：0.035~3200ohm/sq； 1.5方阻测试重复性：≤1.0%；线性度±4%； 1.6系统具备自动温度记录，实现温度补偿；温度测量精度±0.4℃，温度测量重复性在±0.4℃范围内。 1.7设备配置： 1.7.1 线圈直径：14mm； 1.7.2 Gap范围：1mm~2.25mm； 1.7.3手动上下片；测试速度约45片/小时（9点）。 *1.7.4设备具备后期升级的端口，能够增加机械手臂、转平边器等，实现自动化上下片。 | 147 | 2025年03月 | |
| 6 | CMP化学机械抛光机 | ****09083 | A****0300 电子工业生产设备 | 1. 可兼容6寸和8寸样品的CMP工艺,并至少配置6英寸和8英寸研磨头各1个； 2. 抛光头最高转速不低于150 rpm，整理器转速不低于150 rpm；抛光液流速满足50-500 mL/min；整理器下压力满足2- 15 lbs； 3. 配置晶圆位置检测器和漏液检测装置； 4. 6/8英寸衬底上SiO2的抛光片内非均匀性≤5%、片间非均匀性≤3%、表面粗糙度≤0.5nm； 5.抛光速度不低于250nm/min。 | 500 | 2025年03月 | |
| 7 | 点胶机 | ****09084 | A****0300 电子工业生产设备 | 主要技术指标：（1）设备具有各类芯片底部填胶、BGA芯片底部填充等功能;（2）XY轴定位精度≤80um；（3）XY轴重复精度≤±10um；（4）Z轴行程≥75mm；（5）XY轴移动最大速度≥1000mm/s；（6）基板最大长度≥400mm；（7）最大点胶范围：300*300mm。 | 100 | 2024年11月 | |
| 8 | 8英寸SiC外延设备 | ****09085 | A****0300 电子工业生产设备 | 可进行N、P外延生长；反应室设计的最高温度超过1750℃，温度控制精度±0.5℃；工艺控压范围50-300mbar（150 slm H2）。 | 800 | 2025年03月 | |
| 9 | 高速串行误码仪 | ****09086 | A****1200 有线电测量仪 | 1.速率支持宽于1.25Gbps-60Gbps，NRZ连续可调；PAM4支持数据率25G-30Gbaud，50G-60Gbaud速率段，连续可调； 2.单台误码仪码型产生器通道数≥4个 3.单台误码仪误码检测通道数≥4个； 4.码型发生器差分输出幅度范围宽于400mV～1V。 | 150 | 2024年11月 | |
| 10 | 示波器 | ****09087 | A****1000 电子示波器 | 1.模拟带宽：全通道13GHz 2.通道数：4模拟通道+EXT 3.最大模拟通道采样率：全通道打开时，每通道40GSa/s（总采样率160 GSa/s） 4.最大存储深度：每通道存储深度最高4Gpts 5.最高波形捕获率：>250,000wfms/s 6.垂直分辨率：8~16bit可调垂直分辨率 7.典型上升下降时间：≤35 ps 8.峰值检测：100 ps 的毛刺 9.时基范围：20 ps/div~1 ks/div 10.探头：标配1根7GHz有源差分探头 信号分析功能：支持眼图、抖动分析功能。 | 107 | 2024年11月 | |
| 11 | 半导体参数分析仪 | ****09088 | A****0203 电子元件参数测量仪 | 系统具备低频噪声测试能力，本底噪声可达到2e-28A2/Hz，测试带宽可达到0.1Hz-100kHz；配置6个SMU单元：SMU最大电压200V，最大电流1A，电流精度30fA，直流功率20W，脉冲功率不低于400W；配置1个CV单元：CV单元偏置电压±40V，频率范围20Hz~10MHz；配置2组短脉冲测试单元，共4个短脉冲测试通道，最大电压10V，最大电流10mA，最小脉冲宽度130ns，最小采样时间10ns。 | 170 | 2025年03月 | |
| 12 | 真空烧结炉 | ****09089 | A****0300 电子工业生产设备 | 主要技术指标：（1）加热板面积不小于300 mm×300 mm，最大样品高度100mm;（2）设备采用红外石英灯阵列加热，最高工作温度不低于450℃；（3）加热板温度均匀性≤2%；（4）空洞率低于6%；（5）配备抗化学腐蚀无油干泵1台，真空度优于0.1mbar；（6）设备最快升温速率不低于180℃/分钟，最快降温速率不低于90℃/分钟；（7）工艺气体可采用氮气和甲酸气体（HCOOH），配备甲酸模块。 | 200 | 2025年03月 | |
| 13 | 太阳光模拟器 | ****09090 | A****1000 试验设备 | 1.辐照面积：≥100060f991125cd10bf3324acbb567d7200a* 2.照度：600-1200w/m2，连续可调*，且不影响均匀性。 3.使用距离：≥800mm；* 4.辐照均匀性：≥85%；* 5.光谱匹配度 A级(IEC 60904-9)及以上* 6.光谱匹配度波长：300-1200nm* 7.每台光源均光器件由不小于25块石英透镜组成* 8.时间不稳定性：≤2%* 9.光源类型：氙灯 参数中4,5,8三项需出具有CNAS认证的第三方检测报告。 | 110 | 2024年11月 | |
| 14 | 超声波扫描 | ****09091 | A****0300 电子工业生产设备 | 主要技术指标：（1）具备多频率超声发射头，可解析厚度大的样品同时提供高分辨率解析应用，至少配备30MHz、100MHz频率范围头;（2）X/Y轴分辨率优于0.5um；（3）Z轴分辨率优于1um，图像分辨率可调；（4）X轴有效扫描速度最快优于1000mm/s，扫描速度可调；（5）有效扫描范围300mm×300mm；（6）Z轴移动范围350mm。 | 142 | 2024年11月 | |
| 15 | 激光植球机 | ****09092 | A****0300 电子工业生产设备 | 主要技术指标：（1）X,Y轴运动范围：500mm × 500mm;（2）X,Y轴重复精度：+/-5um；（3）工作区域：320mm × 320mm；（4）微球PITCH：≥60um；（5）植球效率：max6颗/S；（6）植球球径：50μm-200um；（7）焊接材料范围：SnPb，SnAg，SnAgCu，AuSn，InSn，SnBi等；（8）支持锡球存储 | 205 | 2025年03月 | |
| 16 | 晶圆键合机 | ****09093 | A****0300 电子工业生产设备 | 最大支持8英寸（200mm）晶圆；支持从单芯片键合到晶圆键合；最大键合压力：60KN。 | 480 | 2025年03月 | |
| 17 | 光刻机升级改造 | ****09094 | A****0300 电子工业生产设备 | 曝光晶圆尺寸达到8寸；8寸晶圆曝光精度≤0.18μm；套刻精度≤30nm。 | 400 | 2024年11月 | |
| 18 | 毫米波宽带矢量信号源 | ****09095 | A****1100 通信、导航测试仪器 | 指标：频率范围6kHz~67GHz内调制带宽≥2GHz，相位噪声≤–140dBc/Hz (1 GHz载波10kHz频偏)及 ≤–128dBc/Hz (10 GHz载波10kHz频偏)；支持矢量调制，任意波调制。 数量：1台。 质量、服务、安全、时限等要求：质保三年。 | 130 | 2024年11月 | |
| 19 | 等离子表面激活 | ****09096 | A****0300 电子工业生产设备 | 最大可适用于12寸（300mm）晶圆；无需湿法处理；高度材料兼容性。 | 100 | 2025年03月 | |
| 20 | 分拣机 | ****09097 | A****0300 电子工业生产设备 | 主要技术指标：（1）实现晶圆上芯片单粒的光学检测，对外观进行判定，能对不良品和良品芯片进行准确判别，能将芯片从蓝膜转移到不同载体，如Wafer Packs、Gel-Pak、基板等;（2）可处理6英寸、8英寸晶圆；（3）拾取芯片尺寸范围最小0.15mm×0.15mm；（4）UPH：500-1200；（5）支持Wafer台尺寸：≥8英寸，支持GaAs、GaN、SiC、Si晶圆，支持脆弱芯片和长芯片恒力取放，支持多种载具（蓝膜、芯片盒等）。 | 100 | 2025年03月 | |
| 21 | 50GHz-1.1THz信号源扩频模块 | ****09098 | A****1100 通信、导航测试仪器 | 指标：倍频源模块：50-75GHz频段内输出功率≥5dBm，75-110GHz频段内输出功率≥10dBm，110-170GHz频段内输出功率≥2dBm，170-220GHz频段内输出功率≥-7dBm，220-325GHz频段内输出功率≥-8dBm，325-500GHz频段内输出功率≥-18dBm，500-750GHz频段内输出功率≥-25dBm，750-1100GHz频段内输出功率≥-33dBm. 数量：1台。 质量、服务、安全、时限等要求：质保三年。 | 200 | 2024年11月 | |
| 22 | 晶圆级电性参数测试系统 | ****09099 | A****9900 其他电子和通信测量仪器 | 主要技术指标：1、设备可实现8英寸、6英寸及4英寸晶圆的自动化在片测试：开关、移相器/衰减器、低噪声放大器、功率放大器、混频器、T/R 芯片，实现各类功能参数和电性能指标测试;2、软件功能：支持开关、移相器、低噪声放大器、功率放大器、混频器、T/R芯片等产品的各项指标测试。可以支持多种控制方式、仪器自检、生成测试报告，实现各类功能参数和电性能指标自动化采集、存取；3、系统指标：（1）射频频率范围： 10MHz～50GHz；（2）接收机0.1dB压缩点典型值：≥+13dBm（10MHz~50GHz）；（3）驱放范围：频率1-40GHz，功率2W；（4）数字万用表可直接被矢网控制进行触发和数据采集，六位半分辨率，最低可采集至1μA电流；（5）电源单通道覆盖32V/10A，四通道，可以串联或并联使用；（6）各类功能参数和电性能指标测试及自动化采集、存取；4、三温测试能力:-55~125℃。 | 320 | 2025年03月 | |
| 23 | 毫米波高分析带宽频谱仪 | ****09100 | A****1100 通信、导航测试仪器 | 指标：频率范围6kHz~67GHz内最大分析带宽≥4GHz（内置）；1GHz和10kHz频偏处相位噪声-135dBc/Hz；具备模拟调制信号、常见矢量信号、自定义IQ信号、脉冲调制信号的解调分析能力。 数量：1台。 质量、服务、安全、时限等要求：质保三年。 | 180 | 2024年11月 | |
| 24 | 三轴带温箱位置速率转台 | ****09101 | A****0603 试验箱及气候环境试验设备 | 1、负载重量：≥60kg； 2、负载尺寸：450mm×450mm×450mm； 3、导电滑环：60环； 4、定位精度：≤±5″； 5、控制分辨率：0.0001°； 6、重复性：≤±2″； 7、内框最大速率：1200°/s； 8、速度分辨率：0.001°/s； 9、内框最大角加速度：500°/s2； 10、温度控制范围：-60℃～+145℃； 11、升降温速率：2°C/min（全程平均）。 | 198 | 2025年03月 | |
| 25 | 50GHz-1.1THz频谱仪扩频模块 | ****09102 | A****1100 通信、导航测试仪器 | 指标：频谱仪扩频模块：50-75GHz频段内变频损耗最大值18dB，75-110GHz频段内变频损耗最大值12dB，110-170GHz频段内变频损耗最大值26dB，140-220GHz频段内变频损耗最大值32dB；220-325GHz频段内变频损耗最大值20dB，325-500GHz频段内变频损耗最大值44dB，500-750GHz频段内变频损耗最大值30dB，750-1100GHz频段内变频损耗最大值45dB。 数量：1台。 质量、服务、安全、时限等要求：质保三年。 | 200 | 2024年11月 | |
| 26 | 红外傅里叶膜厚测量系统 | ****09103 | A****0204 半导体器件参数测量仪 | 光源： 稳定的红外辐射源。 干涉仪： 全自动傅立叶变换仪，高精度光学元件。 波数范围： 通常覆盖4000 cm1至400 cm1。 分辨率： 可调节，通常可达0.5 cm1。 样品室： 多样品室选项，适用于液体、固体和气体样品。 探测器： 高灵敏度探测器，例如DTGS（Deuterated Triglycine Sulfate）探测器。 数据采集速度： 快速数据采集，通常几秒至几分钟不等。 软件： 强大的数据处理和分析软件，支持化学谱学应用。 | 488 | 2025年03月 | |
| 27 | 全自动倒装焊 | ****09104 | A****0300 电子工业生产设备 | 主要技术指标：（1）设备具有环氧、共品、倒装等应用功能;（2）贴装精度:≤2μm，配备一套精度校准工具；（3）支持芯片尺寸范围:0.2mmx0.2mm~50mmx50mm；（4）X、Y 行程/分辨率:X向≥300mm，Y向≥150mm，分辨率≤0.1μm；（5）Z轴行程及精度:行程≥10mm，分辨率≤0.2μm；（6）配置基板加热模块，加热面积50x50mm，最高设定温度：400℃，升温最高设定速率：25℃/s，支持强制风冷；（7）配备惰性气体保护腔体，自动控制气体通断，气体流量范围1~10NL/min。 | 450 | 2024年11月 | |
| 28 | 模拟异构硬件仿真加速设备 | ****09105 | A****0107 图形工作站 | 1)千万量级器件规模，具有100%的SPICE精度，仿真速度比传统SPICE仿真工具有大幅提升； 2)CPU/GPU并行仿真技术，保持较好的线性加速比，对基于CPU的商用并行SPICE仿真器能够达到10倍加速比 3)独有的多核并行仿真技术（Accelerated Multi-Block-Parallel，简称AMP），保持较好的线性加速比； 4)兼容多种业界常用的SPICE网表格式、常用模型以及分析类型，支持硬件描述语言Verilog-A； 5)兼容多种主流波形存储格式，并支持波形压缩和分割存储； 6)先进的矩阵求解方案，集成超过10种的矩阵求解方法，确保各种类型电路的稳定的收敛性，并且最大限度的节省矩阵求解时间； 7)独有的精度无损的智能矩阵求解器，保持物理拓扑结构，使超大规模后仿电路的仿真成为可能，增强设计的可靠性； 8)支持Monte-Carlo分析、快速Monte-Carlo分析、Transient Noise分析等； 9)独有的电路失效分析工具，提高电路设计的可靠性； 10)独有的加密工具，保护您的知识产权； 11)支持模拟电路的自动参数优化功能，提高电路设计效率； 12)完善的电路自动静态和动态检查，帮助发现电路潜在的设计问题； 13)支持Save/Recover断点续仿功能； 14)无缝集成到主流IC设计平台和主流IC分析优化工具；提供定制化服务。 15)核心算法为基于V100 32GB GPU的智能矩阵求解方法，能够调用4个以上GPU进行仿真加速，相较于****@2.9GHZ CPU服务器的Hspice / Spectre仿真加速快50%以上； 16)支持5千万器件量级的仿真容量，满足5千万器件量级电路的后仿应用场景； 17)支持的最先进工艺，其特征尺寸覆盖14nm-7nm等先进FinFET工艺节点； 兼容标准spectre和spice网表语法和模型； 为支撑先进大规模模拟集成电路设计和混合信号多芯粒协同设计，采购基于GPU架构的模拟电路异构硬件仿真加速设备，并搭载支撑模拟集成电路设计工具的加速软件的永久许可证，享受免费的软件升级和更新服务。 | 350 | 2024年11月 | |
| 29 | 高性能计算集群 | ****09106 | A****0104 服务器 | 针对先进模拟电路设计的大算力和储存集群，同时集群具有可搭载模拟异构硬件仿真加速设备能力。采购包含高性能计算集群设备20台、大容量存储设备、多端口并行访问管理设备和集群管理软件，享受免费的软件使用、升级和更新服务。4U机架服务器，国产自研品牌，非OEM贴牌，，非刀片或**度服务器产品，适用于通用机房环境，支持标准机柜，配置导轨； 处理器：每个节点配置≥2个intel 8358处理器；单颗处理器要求：主频≥2.6GHz，核数≥32; 配置≥1024GB 3200MHz DDR4内存；最大支持32个内存插槽； 配置≥2*480G SSD盘，支持SAS/SATA/U.2（NVMe）接口，支持SATA总线的M.2 SSD硬盘，支持E1.s SSD，支持硬盘热拔插； 配置RAID卡，RAID控制卡支持RAID 0/1/5/6； 配置≥4块NVIDIA L20 PCIe GPU卡等技术需求。 支持整机原厂3年质保服务，含设备上架、系统安装调试服务。 | 550 | 2024年11月 | |
| 30 | 光波元件分析仪 | ****09107 | A****0204 半导体器件参数测量仪 | 可完成高速电光/光电/光光/电电芯片及器件的频率响应参数测试，是解决新型光电混合芯片的先进测量仪器，该仪器可实现测试频率范围覆盖10MHz~67GHz，测试中心波长1310nm和1550nm，光接收波长范围覆盖1290nm~1610nm，相对频率响应精度为±2.2dB，完全满足当前针对当前光通信主要波段芯片的测试需求。 | 320 | 2024年11月 | |
| 31 | 非接触霍尔测试系统 | ****09108 | A****0204 半导体器件参数测量仪 | 对材料载流子浓度和迁移率进行无损检测；迁移率测试范围：100cm2/Vs-20000cm2/Vs；载流子面密度测试范围：1×1011-1×1014 cm-2；样品尺寸：4英寸-8英寸。 | 580 | 2024年11月 | |
| 32 | 压电力显微镜 | ****09109 | A****0301 显微镜 | 用于铁电材料中铁电畴极化反转表征，满足： 1. 扫描器 （1）平板扫描器，三轴分离技术 （2）扫描范围：XY≥120μm，闭环传感器噪音< 0.6 nm (ADev, 0.1-1kHz) 2. 扫描头：Z方向扫描范围≥15 um，闭环传感器噪音<0.25 nm (ADev, 0.1-1kHz) 3. 检测器：直流激光探测器噪音<15 pm；系统高度噪音<50 pm 4. 样品台：样品台尺寸为最大直径80 mm，可测样品厚度：最大10 mm 5. 高压模块：可输出±220V高压信号，用于铁电材料的面内面外畴的测量和翻转等电极化调控 6. 导电模块：电流分辨率1pA ,可测电流范围1pA到20nA，用于测量才表面导电性质等 7. 控制器：双频锁相放大器，一个输出频率在10MHz的双频率频率合成器，数字调Q范围：2kHz-2MHz； 8. 双频共振压电力显微镜模式：双频共振频率差＞5kHz，双频共振频率＞30kHz； 9. 光学辅助成像系统：物镜不低于10倍，光学成像范围不低于700*700μm2. 10. 隔音设备：被动式隔振台和落地隔音罩 | 175 | 2024年11月 | |
| 33 | 高温磁控溅射系统PVD | ****09110 | A****0300 电子工业生产设备 | 1. 方箱型304不锈钢腔； 2. 腔室的极限压强可达5 ×10-7 Torr以下； 3. 腔室具备不少于5支溅射靶枪，靶材尺寸为3英寸，其中1个为强磁靶； 4. 靶枪最低工作压强可达0.7mTorr； 5. 配置一台功率为1000W的直流电源；一台功率为1500W的直流电源；一台功率为2000W的脉冲直流电源，脉冲频率2-100kHz可调；两台功率为300W的RF电源，带有自动匹配器和控制器； 6. 最大可沉积样品直径达到6英寸（150mm），沉积样品尺寸可向下兼容； 7. 样品台兼容加热功能，衬底温度从室温到800℃可调； 8. 电机控制基片原位自转，转速0-20 rpm内可调； 9. 具有进样室，进样室可传输样品直径达到6英寸（150mm），进样尺寸可向下兼容； 10. 具有计算机控制系统，可通过程序控制系统状态。 11. 具有安全互锁装置。 12. 镀膜片内厚度均匀性指标：3英寸靶枪在6英寸硅片镀制150nm以上的金属薄膜，均匀性不大于+5%；均匀性****中心到基片边缘每隔0.5英寸取一个测量点（去掉5mm边缘），使用台阶仪对每个点测量三次，取平均值，均匀性计算公式：±均匀性=((最大–最小) / (2 × 平均))× 100%； 13. 镀膜批次间厚度均匀性：3英寸靶枪在6英寸硅片镀制150nm以上的金属薄膜，连续镀3个批次样品，批次间厚度均匀性不大于+5%。 | 400 | 2024年11月 | |
| 34 | 少子寿命测试仪 | ****09111 | A****0204 半导体器件参数测量仪 | 时间分辨率： 小于1微秒（μs）； 灵敏度： 能够测量极低浓度的载流子，检测范围达到纳秒级别； 波长范围： 适用于可见光和红外光谱范围，覆盖多种波长的光源； 样品适应性： 适用于不同类型的半导体材料和光电子器件； 自动化和数据处理： 具备自动进样、实验控制和数据分析功能，提供用户**的操作界面。 具备温度控制系统。 | 175 | 2024年11月 | |
| 35 | 一体化半导体测试平台 | ****09112 | A****0204 半导体器件参数测量仪 | 1、含不低于2通道的SMU，电压范围±10V，电压输出分辨率不低于170uV，电压输出精度333uV，电压测量分辨率不低于10uV，电压测量精度50uV，电流测量分辨率0.1nA，电流测量精度1nA； 2、LCR测试功能，最大精度不低于0.02%，频率范围1kHz-2097kHz，电阻测量范围0.1Ω - 1MΩ，电容测量范围0.1pF - 1mF，电感测量范围10nH - 100H； 3、含2通道示波器，不低于100MHz带宽、1GS/s采样率、分辨率8bits； 4、任意波形发生器功能，频率20MHz，分辨率14bits； 5、数字万用表功能，分辨率不低于5，最大电压300V； 6、可编程直流电源功能，电压范围6V/±25V，最大电流1A； 7、内置高性能处理器，预装Win10操作系统，搭载13.3寸触控屏幕； 8、具备数字示教功能，支持实验对应的教学知识点原理动画或视频展示以及实验原理、实验操作及结果记录等指导图文展示； 9、支持互联网远程访问和控制，学生实验过程记录及评价； 10、配套专用半导体参数测试软件，提供可自由配置仪器参数功能的软面板，支持测量曲线和参数数据的完整展示和查看； 11、支持LabVIEW、C和Python开发。 | 180 | 2024年11月 | |
| 36 | 极窄脉冲直流测试系统 | ****09113 | A****9900 其他电子和通信测量仪器 | 主要技术指标：（1）栅极脉冲头：±20V，100mA，功率1W。支持预置脉冲状态（三状态脉冲）功能；（2）栅极脉冲头：空载最小上升/下降时间：≤40ns；（3）栅极脉冲头：空载最小脉冲宽度：≤200ns；（4）漏极脉冲头：200V，脉冲电流不小于2A，功率不小于20W。支持预置脉冲状态（三状态脉冲）功能；（5）漏极脉冲头：空载最小上升/下降时间：≤40ns；（6）漏极脉冲头：空载最小脉冲宽度：≤250ns；（7）漏极最大误差：≤0.1%；（8）系统支持双脉冲PIV测试功能，支持脉冲S参数测试功能；（9）配合负载牵引系统，可以支持动态负载线测量和测试结果的大信号行为级模型建模，模型可以在ADS里面进行仿真；（10）支持DC脉冲负载牵引测试；（11）脉冲头可以根据需要，后续选配不同规格。 | 200 | 2024年11月 | |
| 37 | 超宽带噪声参数测试系统 | ****09114 | A****9900 其他电子和通信测量仪器 | 主要技术指标：（1）最高50GHz阻抗调谐器；（2）阻抗调谐器支持50GHz射频探针直连；（3）配置定制化针座用于固定并移动阻抗调谐器；（4）配置50GHz的噪声输入输出模块以及控制模块，支持50GHz的噪声参数测试；（5）自动化噪声提取软件：（a）能控制设备完成自动化校准和测量；（b）具有去嵌入的功能；（c）支持多种噪声参数提取算法；（d）支持多偏置噪声参数自动测试；（e）校准流程清晰；（6）配置6寸半自动探针台：（a）载物台尺寸：6英寸；（b）Chuck XY轴行程：不小于150*150mm；（c）XY轴分辨率：≤5μm；（d）Z轴可调范围：≥10mm；（e）Theta轴：≥±66°；（f）配置CCD，像素≥200W；（g）配置防震台和空压机；（h）配置50GHz GSG，150微米射频探针两根及校准件。 | 236 | 2024年11月 |
本次公开的****政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
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2024年09月27日
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