服务内容

1. Foundry: TSMC
2. Process: 22nm ULP 0.8V/1.8V
3. Bare Dice: 40die
4. Chip Size：5mm2
5.片上集成一个多精度SRAM存算芯片电路，其 8bit 运算能效比大于 40TOPS/W，精度可支持 2bit、4bit 和 8bit

服务期限

1.签订合同当日与甲方建立对接，7 天内完成 PDK 安装。
2.15 天内完成模块相关设计及验证通过甲方验收。
3.技术工作内容涵盖模块的原理图、版图、后防设计以及 DRC/LVS、22 纳米 MPW 流片技术实施及面积控制。
4.30 天内完成 22 纳米 MPW 流片（面积 5mm2）并交付甲方验收，以项目通过甲方验收作为完成标志。

售后要求

1.乙方拥有周密完整的保密制度，包括但不限于内部保密系统、与**商的保密协议、员工竞业限制等，确保针对双方**中涉及的所有核心技术（包括情报和资料）的保密，保密期限为合同签订之日起一年； 2.乙方提供多精度存算芯片电路设计，后仿结果和优化方案，并根据甲方需要实时更新、提供协助优化和存算一体性能和功耗的调试服务； 3.合同签订后，乙方提供根据甲方需求芯片流片和测试服务指导，提供流片后的测试PCB设计指导，协助完成测试工作直到测试工作结束，乙方向甲方提供3个关键指标的技术测试方案。