西安工业大学ALD设备
****2024年12月政府采购意向-****ALD设备 详细情况
****ALD设备 | |
项目所在采购意向: | ****2024年12月政府采购意向 |
采购单位: | **** |
采购项目名称: | ****ALD设备 |
预算金额: | 150.000000万元(人民币) |
采购品目: | |
采购需求概况 : | 采购内容:ALD设备;主要功能或目标:设备主机规格:用于8英寸及小尺寸样品。 反应腔系统:双腔结构;样品台单独加热;进样方式:样品台电动升降,样品手动转载。 前驱体源输送系统:反应源与金属前驱体源单独进入反应腔体。配备6路前驱体源输送管路;常温源:配备三孔ALD阀门、源手动阀;加热源:配备三孔ALD阀门、源手动阀;载气辅助源:配备三孔ALD阀门、载气脉冲ALD阀门、源手动阀、MFC;载气管路采用N2或者Ar气体,通过质量流量控制器控制;配备惰性气体自清洗系统。 真空系统:采用双级油封式真空泵。 控制系统:PLC+工业触摸屏方式;支持灵活扩展通信方式;可实现配方编辑、保存、读取等功能;所有ALD阀门具备自动排空功能,所有管线具备自动清洗功能;可进行温度PID参数自整定、前驱体标签修改等;可实时显示加热状态、阀门开关状态、压力曲线、等离子体功率曲线、镀膜进度;可实时监测动力气体压力值、加热状态、阀门开关状态等。 等离子体源及控制:远程ICP等离子体系统,等离子体发生腔独立于反应腔室,与反应腔以标准CF100接口连接;独立的等离子体工艺气体系统,等离子体工艺气体2路,每路均包含MFC控制,可选O2、N2、Ar、NH3或H2;采用13.56 MHz射频电源。 ;需满足的要求:项目建设后,****实验室****学校办学与科研设施设备水平,其**子层沉积系统(ALD)具备原子级薄膜制备能力,针对多孔、高深宽比的衬底结构可实现表面沉积高均匀性、保型性、低缺陷的Al2O3、TiO2、AlN等高质量薄膜制备。ALD设备符合国家、行业、地方规定的质量和安全标准。。 |
预计采购时间: | 2024-12 |
备注: | 无 |
本次公开的****政府采购工作的初步安排,具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
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