技术参数及配置要求 | 采购元器件芯片一批，共计44种，其中FMQL45T900要求是**复旦微电子的全新品芯片，MXT9361要求是**时代民芯的全新品芯片。均要求原厂原封，需要提供原厂的国产化证明文件（模版由采购方提供），否则按废标处理。 具体清单如下。 序号 类别 型号 规格 数量 1 磁珠 BLM15AX221SN1 片式磁珠220ohm±25%@100M Rated Current=580mA; DC Res=0.20ohm;0402 30 2 三端子穿芯电容 CNR10R105M 3端子穿芯电容1uF/2A/6.3V Chip Power EMI Filter(Through CAP) 1uF 20% DC:2A 1608(0603) 720 3 ESD器件 PESD5V0S1BL Low capacitance bidirectional ESD protection diodes ESD protection > 30 kV SOD882 180 4 晶体管器件 BAT54C Schottky barrier (double) diodes (SOT_23封装) 30 5 线板连接器 连接器 GH(1.25mm间距)4P 立式单排针座 GHC_4P SMD 30 6 板间连接器 NLB-P08-80C-2.0H 板对板连接器 80pin NLB-P08-80C-2.0H (PLUG)公座 间距 0.8 ，高度2.0mm SMD 60 7 卡座 Molex_500901-0801 掀盖卡座 micro SD卡座（1.10mm Pitch TransFlash Memory Card Connector, Hinge Type, Round Corner Top） 30 8 射频连接器 贴片IPX射频座 MM8430-2 IPX射频座 MHF Siries Micro Coaxial Connector Receptacle Vertical￠2x1.25mm 3P 180 9 按键开关 2P复位按键 复位按键 /长4宽3高2MM 按键 轻触开关 贴片 2脚 30 10 巴伦 HHM17147A1 MULTILAYER BALUN SPECIFICATION 673~2700MHz -40°C ~ +85°C 120 11 FPGA CPLD FMQL45T900 FCBGA900 30 12 存储器IC AS4C256M16D3LB-12BIN "DDR3 Density : 4G bits - Organization : 32M words x 16 bits x 8 banks MaxClock 800MHZ 96-ball FBGA -40°C to +95°C" 60 13 复位IC TPS3825-33DBVR "Power-On Reset Generator With Fixed Delay Time of 200 ms SOT23_5P –40°C to 85°C" 30 14 网络IC 88E1116-A1-NNC1 Single-Port Gigabit Ethernet Transceiver with Integrated Passives QFN64 30 15 接口IC USB3320C_EZK HI-SPEED USB Transceiver with Variable Voltage ULPI and Selectable Reference Frequency QFN32 –40°C to 85°C 30 16 网络变压器 H0031NL 10/100 PC Card LAN Magnetic Modules SINGLE PORT，Turns Ratio：TX 1：1 RX 1：1 5%，SO 1270x711x198mm 16p 30 17 时钟 Si5338B-A-GMR "I2C-PROGRAMMABLE ANY-FREQUENCY, ANY-OUTPUT QUAD CLOCK GENERATOR QFN24 –40 to +85 °C" 30 18 RF转换器 MXT9361 BGA_080P100X100_144P 30 19 逻辑IC MC100EPT26DG "3.3V1:2 Fanout Differential LVPECL/LVDS to LVTTL Translator SO8 -40 to +85" 30 20 无源晶体 FC- 135(32.768Hz) XTAL_FC-135 精度 20ppm; SMD：3.2 × 1.5 × 0.80 mm 2P -40°C to +85°C 30 21 有源晶振 SG-310(33.33MHz) 晶体振荡器SG-310-33.33MHz 3.3V 精度±20ppm 15pF, SMD：3.2x2.****.2mm 4P -40°C to +85°C 30 22 电容器 100nF/50V 片状多层陶瓷电容 100nF±10%/50V X7R;0402 2000 23 电容器 100uF/10V 片状独石陶瓷电容 100uF±20%/10V X5R;1206 300 24 电容器 4.7uF/10V 片状多层陶瓷电容 4.7uF±20%/10V X5R;0402 810 25 电容器 470nF/16V 片状多层陶瓷电容 470nF±20%/16V X5R;0402 750 26 电容器 1uF/16V 片状多层陶瓷电容 1uF±10%/16V X5R;0402 300 27 电容器 10uF/16V 片状多层陶瓷电容 10uF±10%/16V X5R;0603 420 28 电阻器 10KΩ 厚膜型片状电阻 10KΩ±5%,1/16W;0402 1000 29 电阻器 20KΩ 厚膜型片状电阻 20KΩ±5%,1/16W;0402 30 30 电阻器 4.7KΩ 厚膜型片状电阻 4.7KΩ±5%,1/16W;0402 120 31 电阻器 33Ω 厚膜型片状电阻 33Ω±5%,1/16W;0402 180 32 电阻器 0Ω 厚膜型片状电阻 0Ω±5%,1/16W;0402 300 33 电阻器 39Ω 厚膜型片状电阻 39Ω±5% 1/16W;0402 720 34 电阻器 22Ω 厚膜型片状电阻 22Ω±5%,1/16W;0402 240 35 电阻器 240Ω 厚膜型片状电阻 240Ω±5% 1/16W;0402 60 36 电阻器 40.2KΩ 厚膜型片状电阻 40.2KΩ±1% 1/16W;0402 30 37 电阻器 14.3KΩ 厚膜型片状电阻 14.3KΩ±1% 1/16W;0402 30 38 电源芯片 MAX1510ETB+T Low-Voltage DDR Linear Regulators TDFN-10 -40°C to +85°C 30 39 电源芯片 REF3012AIDBZR 1.25V电压输出，基准电源 30 40 电源芯片 XRP7665IDBTR-F "PWM step down (buck) regulator capable of a constant output current up to 3 Amps. A wide 4.50V to 18V input voltage" 30 41 射频绕线电感 ****65010A 1nH Wirewound Ceramic Inductor,1nH±0.2nH,1360mA,Q:13@250MHz,RDC:45mohm,SRF:6.0GHz,Size:0402 60 42 射频绕线电感 ****65156A 56nH Wirewound Ceramic Inductor,56nH±5%,100mA,Q:22@250MHz,RDC:970mohm,SRF:1.8GHz,Size:0402 180 43 功率电感 JSWPA5040S1R0NT Shielded Power Inductors 1.2uH±20%, 12.5A, RDC:8.5mohm,SRF:61MHz,Shield:Yes,Size:5.28x5.****.1mm 60 44 功率电感 JSWPA4030S3R3MT Shielded Power Inductors 3.3uH±20%, 5.5A, RDC:26mohm,SRF:43MHz,Shield:Yes,Size:4x4x3.1mm 60 以上器件交付时需送至采购方指定的贴片厂，支持上线贴片，并整板加电检测，对非合格的拆焊后的芯片提供更换质保。 |
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