项目编号：****
项目名称：碳化硅肖特基加工（沟槽结构、平面结构）
公示时间：2024年11月14日- 2024年11月19日
拟成交单位 ：****
采购预算：139547元
| 采购内容：进行碳化硅肖特基加工，两种结构（沟槽结构、平面结构），具体要求如下： 沟槽型肖特基方案 1、标准清洗 2、标记刻蚀 3、电镀4.5μmNi 4、刻蚀45μmSiC 5、表面刻蚀损伤优化，牺牲氧化：1100℃1h*2次 6、W/Au样品介质层生长，干氧30min，Ni/Au样品不需要 7、背面欧姆制备，150nmNi，快速退火：1000℃，2min 8、沟槽内金属溅射，一片W/Au（200/150），一片Ni/Au（200/150） 9、划片道金属刻蚀 平面肖特基方案 1、标准清洗 2、标记刻蚀 3、正面LPCVD生长400nm氮化硅钝化层 4、背面欧姆制备，150nmNi，快速退火：1000℃，2min 5、正面肖特基开窗 6、正面肖特基制备Ni200nm，快速退火：500℃，5min 7、正面金属加厚图形化：Ti/Au（20/300nm） |
单一来源理由：本次采购的碳化硅器件加工，需要在 6 吋的碳化硅晶圆全局刻蚀 45 微米深槽。器件加工需要在超高真空下进行，需要深槽内均匀沉积金属，形成肖特基二极管结构。加工过程需要特定的综合工艺制备方案，加工器件需要特殊的退火处理。另外根据图形化需求，需要加工单位具有比较成熟的碳化硅深槽刻蚀技术。 经调研，****（苏纳所）的纳米加工平台长期从事半导体材料与器件、工艺相关研究，包括碳化硅材料外延生长、器 件加工，拥有完备的加工和测试设备。并且在碳化硅器件制备中发表多篇高水平论文和申请相关专利多项，具备丰富的工艺开发和整合经验，适于承接该类研发器件代工工艺技术支持与搭载流片服务。本次加工，涉及“4H-SiC 光子晶体微谐振腔及其制备方法”和“碳化硅二极管及其制备方法”两项专利技术的应用。 因此，苏纳所加工平台是目前唯一能够满足本次器件加工要求并愿意提供加工服务的单位。拟采用校内单一来源采购方式。
论证小组成员：曹菲,宋延兴,张维
有关单位或个人如对本项目采用校内单一来源采购方式有异议，应在公示期内以书****大学****反映。
联系人：崔迪
联系电话：133****9224
****管理处
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2024年11月14日
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