A****0502非金属材料试验机

等离子体深硅刻蚀系统（ICP）（1台）：最大样品尺寸8英寸，向下兼容小尺寸样品；配置OES终点检测系统；TSV刻蚀：CD：10um、 open Ratio≤10%、Etch Depth 100um、Etch Rate≥3um/min、Etch Uniformity≤±3%、Selectivity(to PR)≥30:1、Sidewall roughness≤100nm、Profile angle(°)90±0.5°；Trench刻蚀：CD：2um、 open Ratio≤20%、Etch Depth 40um、Etch Rate≥3um/min、Etch Uniformity≤±3%、Selectivity(to PR)≥30:1、Sidewall roughness≤50nm、Profile angle(°)90±0.5°；Cavity刻蚀：CD：900um、 open Ratio≤20%、Etch Depth 400um、Etch Rate≥10um/min、Etch Uniformity≤±5%、Selectivity(to PR)≥70:1、Sidewall roughness≤500nm、Profile angle(°)90±2° 具体要求详见采购文件。供货期：签订合同之日起，6个月内交货到采购人指定地点，具体事宜由成交供应商按采购人指定地点及时间安排要求执行。