西安工业大学2025年03月政府采购意向
为便****政府采购信息，根据《****政府采购意向公开工作的通知》（财库〔2020〕10号）等有关规定，现将本单位2025年01月至2025年03月采购意向公开如下：
| 1 | ****分子束外延（MBE）设备采购项目 | 采购内容:分子束外延（MBE）设备；主要功能或目标:分子束外延系统1套 1、系统包含进样室、预处理室、外延室； 1.1、进样室，真空腔室采用优质冷轧304L不锈钢制造； 1.2、预处理室，真空腔室采用优质冷轧304L不锈钢制造； 1.3、外延室，真空腔室采用优质冷轧316L不锈钢制造，冷阱采用优质316L不锈钢制； 2、系统真空： 2.1进样室配有分子泵、干泵获得真空，极限真空：≤5×10-8Torr； 2.2、预处理室配有离子泵，极限真空：≤5×10-10Torr； 2.3、外延室配有低温泵、离子泵、升华泵，极限真空≤5×10-11Torr； 3、衬底系统： 3.1、进样室配有衬底库； 3.2、预处理室配有除气台； 4、交接系统：交接系统用于在真空腔室中完成衬底输送。主要由手动升降机构、自动线性传递机构等组成。 6、外延室配有伸缩式可移动式束流计；检测极限≤1×10-10 Torr； 7、外延室配有原位高能电子衍射仪：电子枪能量范围：1-15 KeV； 8、外延室配有四极质谱仪：量程：1-200amu，检测极限≤1.0×10-12 Torr；可远程控制，附带RGA控制与分析软件； 9、P回收系统； 10、UPS电源：可以满足1个Al炉、2台离子泵、1台工控机，≥1个小时的供电； 11、烘烤系统：系统配备专业控制软件，烘烤温度不低于200℃，烘烤程序可控，实际控温精度为±10℃； 12、电控系统主要应用于工艺编程、真空获得、源炉控制以及烘烤系统。主要由人机交互界面、底层PLC核心驱动部件、数据处理和保存部件。操作模式分为手动模式、自动模式和维护模式。电控系统控制MBE生长室工艺，实现工艺自动化控制； 13、设备和软件具有安全互联互锁功能。；需满足的要求:项目建设后，设备支持：生长Ⅲ-As/P化合物半导体及其多元固溶体单晶薄膜或结构，包括GaAs衬底上生长的GaAs，AlGaAs，AlGaInAs和AlGaInP，InP衬底上生长的InP，InGaAs，AlGaInAs，和InGaAsP；生长异质结、超晶格和量子阱等结构；生长发光二极管（LED）、边发射和垂直腔（VCSEL）面发射激光器、太阳电池、光电探测器等光电器件；生长高电子迁移率晶体管（HEMT）、异质结双极晶体管等功率器件。。 | 800.00 | 2025年03月 | 无 |
| 2 | 射频电源 | 采购内容:射频电源；主要功能或目标:5KW，40.68MHz电源 1.输出功率：5000W，可选功率范围: 1W ~ 正常输出功率； 2.电压驻波比（VSWR）接近理想匹配状态，设备可输出其全部标称功率；电压驻波比在失配状态时（VSWR3.0 : 1:），设备可输出其全部标称功率的60%；电压驻波比在极端不匹配时（VSWR接近无限时）输出功率（正向功率）大于标称功率的20%； 3.最大反射功率: 1000W，标称负载阻抗: 50Ω. 4.输出频率及误差: 40.68MHz ± 5%. 5.通信接口：有同步接口；有模拟/数字，可选配 RS-232 / RS-485/ EtherCAT/DeviceNet 6.外壳IP防护等级：30 7.水冷冷却要求：最大水压： 8 bar；最小压差： 2 bar；冷却温度：5 °C~35 °C 8.环境条件:室外温度： 5 °C – 40 °C;湿度：5 % – 85 % 大气压力：79.5 kPa – 106 kPa; 9.配置专用匹配器 2KW，13.56MHz电源 1.功率输出范围：1W – 2000W，最大反射功率： 600 W 当电压驻波比（VSWR1：1~3：1），设备可输出其全部标称功率；当电压驻波比（VSWR）极端不匹配时（VSWR接近无限时），输出功率（正向功率）大于标称功率的60%； 2.输出频率： 13.56 MHz ± 0.005 %； 3.输出阻抗： 50 Ω；谐波： -40 dBc；杂波： -50 dBc；功率精度：±1W or ±1 %；浪涌：±1W；输出功率重复性：±2W or ±1 % 4.可选择运行常规模式和脉冲模式，常规模式：正向功率、负载功率、外部电压；脉冲模式：1 Hz–50 kHz，内部和外部信号源 频率捷变：±678 kHz（±5%） 具有抑弧功能： 5.接口：模拟；DeviceNet；RS232/485，系统端口/模拟；therCAT；RS232/485，系统端口/模拟；现场总线；RS232/485，系统端口/同步（CEX；脉冲；抑弧）：是 6.水冷方式：环境温度：5°C – 35°C； 7.外壳防护等级：30 8.可选配最高到400kHz的脉冲输出频率；具备智能自动调频（Auto Frequency Tuning）、抑弧功能（Arc Management） 9.配置专用匹配器；需满足的要求:可用于射频磁控溅射镀膜装置、射频离子源加工以及射频等离子体刻蚀加工专用设备中，磁控溅射源、离子源和等离子体源的射频电源提供。。 | 81.50 | 2025年03月 | 无 |
| 3 | 自由曲面测试仪 | 采购内容:自由曲面测试仪；主要功能或目标:1.主要功能： 1.1采用多波长干涉方式测量零件面型，提供理论和实测曲线分析； 1.2可进行平面、球面、非球面、自由曲面的三维形貌测量； 1.3可进行曲率半径测量； 1.4具备三维参数分析功能，该参数必须包括但不限于：PV/PV99、Astigmatism、RMS、Slop，显示误差图的三维影像。 1.5有自动消倾斜和偏心校正功能； 1.6支持被测件方程及参数的输入，并提供测量对比结果报告； 1.7可检测面型：球面、非球面、衍射面和自由曲面； 衍射面沟槽深度大于10微米； 1.8测量方式：针对圆形、矩形、椭圆形、多边形、不规则形状等轮廓的面形均可进行非拼接连续测量，以保证测量精度及一致性； 1.9可针对深宽比较大的小口径光学模具测量，满足口径≤30mm，曲率半径为 15mm 的凹球面测量； 2.技术规格、精度指标： 2.1最大测量尺寸：Φ260mm； 2.2面型测量精度：≤50nm(PV值)，重复精度≤20nm； 2.3曲率半径测量精度：≤0.05um (一英寸标准小球)； 2.4最大测量倾斜角： 凸面90°，凹面65°； 2.5最大测量矢高：≤50mm； 2.6被测件最大重量：≤25Kg； 2.7软件分析：具备3D表面可视化、可调整横断面、2D显示图、滤波器 (LPF、HPF、高斯)、 最佳拟合半径、非球面拟合、消倾斜和偏离补偿、拟合去除、切向和径向误差；显示相关参数，包括Power、PV、RMS、Slop和Zernicke等的数值、测量报告 (支持SBF、PDF、JPEG等多种输出格式)的功能； 2.8 数据输出：数据输入输出格式可与dat、datx、xyz格式、4D 、Zeiss、等面形分析处理软件数据格式兼容通用；同时可以输出主流光学加工设备的输入格式，用于过程面形修正；还可以输出Zemax、CodeV等光学设计软件输入格式，用于设计模型修正。；需满足的要求:可用于对旋转对称和非旋转对称表面进行精密的非接触式3D形状测量，如非球面、球面、平面和自由曲面等。。 | 400.00 | 2025年03月 | 无 |
| 4 | 椭偏仪 | 采购内容:椭偏仪；主要功能或目标:光谱范围：210-1690nm，测量角度：45-90°连续自动可变，光斑尺寸： 3mm≤普通光斑直径≤5mm，微光斑≤300um，连续可调测试温度：25-500℃。；需满足的要求:项目建设后，建成并****学校在薄膜与等离子体技术方向的教学与科研设备水平，其中椭偏仪主要用于薄膜及光学元件折射率测量。****学校在薄膜与等离子体技术方向的教学与科研设备需求且质量达到现行合格标准，符合国家、行业、地方规定的质量和安全标准。。 | 160.00 | 2025年03月 | 无 |
| 5 | 分光光度计 | 采购内容:分光光度计；主要功能或目标:光谱范围190-2600nm，采用棱镜-光栅（P-G）双单色仪光学系统，光谱带宽：紫外-可见区0.01-2.4nm(0.01nm步进），2.4-8.0nm(0.02nm步进）；杂散光（S.L.)：≤0.00008%（220nm NaI）；≤0.00005%（380nm NaNO2）。；需满足的要求:项目建设后，建成并****学校在薄膜与等离子体技术方向的教学与科研设备水平，其中分光光度计主要用于光学薄膜样品及光学元件透射率检测。分****学校在薄膜与等离子体技术方向的教学与科研设备需求且质量达到现行合格标准，符合国家、行业、地方规定的质量和安全标准。。 | 65.00 | 2025年03月 | 无 |
| 6 | 相控阵天线自动测试系统 | 采购内容:相控阵天线自动测试系统；主要功能或目标:相控阵天线自动测试系统；主要功能或目标:相控阵天线自动测试系统（含频谱分析仪、微波信号发生器 、矢量网络分析仪等） 1、 全数字中频技术，频率范围9 kHz ~ 26.5 GHz，频率分辨率1 Hz；2、 显示平均噪声电平DANL低于-165dBm/Hz；3、 相位噪声低于 -105 dBc/Hz@1 GHz；4、 分辨率带宽（RBW）1Hz ~ 10MHz，步进1-3-10；5、微波信号发生器输出频率范围100 kHz ~ 40 GHz；6、矢量网络分析频率范围100 kHz ~ 26.5 GHz，频率分辨率1Hz；7、 矢量网络分析端不少于4个；8、 输出功率设置范围-55 dBm ~ +10 dBm等；；需满足的要求:性能安全可靠，可开展军用装备相关快速开发验证及自动化测试。 可广泛应用于各类移动通信系统、模块、器件的测试，支持远程桌面，适用于通信教学、****实验室等，满足广泛的应用需求。要求高精度，可全面测试射频、微波器件的性能。。 | 550.00 | 2025年03月 | 无 |
| 7 | 人工智能模型训练服务器 | 采购内容:人工智能模型训练服务器；主要功能或目标:人工智能模型训练服务器组件 1、具备双机互备份，单机可独立运行功能；2、双路8488c；3、96核192线程；4、128G内存Tesla L40 48G4；6.AI算力：不低于724 TFLOPS；；需满足的要求:可模拟各种规模的嵌入式板卡和模块支撑系统自动化、机载智能能力生成、效能评估等功能。搭载全套仿真推演平台，用于数字孪生战场中基于光电和电磁数据科学分析支撑的智能态势推演和仿真。规模可调的强大的并行算力，满足多平台、多场景、多行业的个性化需求。。 | 55.00 | 2025年03月 | 无 |
| 8 | 计量型三坐标测量机 | 采购内容:计量型三坐标测量机；主要功能或目标:一台计量型三坐标测量机及相关附件；主要功能或目标:（1）测量精度要求：0.7+L/400（微米）； （2）测量范围不低于****00500； （3）配备三维扫描测头 ；；需满足的要求:实现复杂零部件几何量精密测量，可实现复杂刀具、齿轮、各类样板的溯源。。 | 199.75 | 2025年03月 | 无 |
| 9 | 双向直流源载系统 | 采购内容:双向直流源载系统；主要功能或目标:双向直流源载系统 输出电压 2000V； 输出电流 60A； 输出功率 30kW； 功率因数 ＞0.99； 保护功能 OVP、OCP、OPP、OTP； 通讯接口 RS485。；需满足的要求:该系统具备高达2000V的输出电压和60A的输出电流，能够满足包括无人机、导弹光电制导系统及高射速武器在内的多种武器装备在复杂工况下的电源测试需求。其30kW的输出功率确保了在高负载测试场景下的稳定性和可靠性。。 | 50.00 | 2025年03月 | 无 |
| 10 | 智能信息处理平台 | 采购内容:智能信息处理平台；主要功能或目标:智能信息处理平台 数据采集功能： 采样率≥500kHz； 通道数≥8路同步模拟输入采集通道，具备通道扩展功能； 通道间同步精度优于1微秒； 采集模块各测量通道具备0-20V恒压激励和0-20mA恒流激励供电能力； 隔离电压≥500V； 半实物仿真功能： 主机采用IntelR XeonR E34核，3.7GHz 16GBRAM,250GBSSD； 主控板采用FPGA XilinxR KintexR-7 410T； 采用的兼容软件平台为 RT-LAB和HYPERSIM； 数字I/O通道(OP5369)≥32； 高量程数字输入输出通道≥2； 数字输出电压：5-24V； 数字输入电压：0-30V； 模拟输出通道(OP5330-3)≥16，1MS/s，16-bit精度，500 ns, ±20 V； 模拟输入通道(OP5342)≥16，1MS/s，16-bit精度，500 ns, ±20 V。；需满足的要求:数据采集模块提供精密强稳定的数据采集功能，满足高速高动态微小信号容易受到外界噪声干扰，采集模块具有隔离设计，最大化地消除接地回路和共模电压带来的干扰，保证信号测试质量。半实物仿真功能满足基于CPU的实时仿真和亚微秒级电力电子仿真提供强大的仿真能力，可提供多个具有信号调理功能的高性能模拟/数字通道，以及用于硬件对接的高速光纤接口，可作为电力电子变换器、变频器及电机驱动系统的可靠、高效的半物理实时仿真平台。。 | 92.00 | 2025年03月 | 无 |
| 11 | MOCVD | 采购内容:金属有机化合物化学气相沉积设备；主要功能或目标:4个腔室；加工4英寸或6英寸高性能铟镓砷超晶格、氮化镓基蓝绿光LED外延层等。；需满足的要求:实现片上集成光源和光探测有源器件的制备；实现铟镓砷超晶格、硅锗量子阱等主流近红外、红外发光和探测材料和微纳结构的晶圆流片制备。具备沉积铟镓砷/硅锗量子阱薄膜；典型厚度10nm-500nm。。 | 800.00 | 2025年03月 | 无 |
| 12 | 低压等离子体化学气相沉积 | 采购内容:低压等离子体化学气相沉积系统；主要功能或目标:单腔反应炉单腔反应炉；最大晶圆尺寸8英寸（200mm）；最大加工数量150片；反应方式：热反应（1250℃）；可加工工艺：Oxide, Anneal, Nitride, Poly, TEOS, HTO, High-K. 用于制备Si3N4薄膜（芯片级）；；需满足的要求:该项目是制备集成氮化硅波导的重要手段。基于LPCVD技术制备的氮化硅波导，有结构紧凑致密、表面光滑的特点，其传输损耗能降低到很小的值；导传输损耗可以低至0.05d/cm。相比于PECVD技术制备的氮化硅波导，其主要优势是传输损耗更低。：与实验室现有的PECVD薄膜沉积、等离子体刻蚀设备可以构建一套光子芯片用光波导等无源器件制造体系。。 | 585.00 | 2025年03月 | 无 |
| 13 | 矢量网络分析仪 | 采购内容:矢量网络分析仪；主要功能或目标:性能要求： 频率范围：覆盖100kHz~20GHz 最大测量电平：≥20dBm 内置衰减器范围：0~30dB 分辨率带宽：1Hz~3MHz 显示平均噪声电平：优于-155dBm/Hz（1GHz） 单边带相位噪声：优于-120dBc/Hz（1GHz） 信号分析带宽：不小于160MHz 设备形态：台式仪器，具备按键与触摸屏 工作温度：0℃~50℃ 储藏温度：-20℃~70℃ 功能要求： 具备频谱分析功能，包含0扫宽，通道功率测量，占用带宽测量，NdB带宽测量，邻道功率测量等基本测量功能。 具备扫描频率，2D瀑布图，3D瀑布图显示 具备相位噪声测试功能 具备矢量信号分析功能，支持PSK、QAM、FSK等格式 具备4G信号与5G信号解调功能 支持内外参考切换；需满足的要求:实现矢量信号分析功能，对信号从频率，时域，调制域进行分析。 能够从频谱界面读取信号的频率，幅度，带宽等信息，能够从矢量信号分析界面读取频率误差，星座图，调制质量等信息。。 | 50.00 | 2025年03月 | 无 |
本次公开的****政府采购工作的初步安排，具体采购项目情况以相关采购公告和采购文件为准。
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2025年01月07日
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